本帖最后由 xukun977 于 2012-11-28 17:24 编辑
1,rb是个非常重要的参数,对电路瞬态有影响,但是精确测量有点难,一是Crowing,二是re干扰。
在一级二级模型中都是假定其为常数的,在spice中,用三个参数模拟IC对其影响。
2,定性描述一般要加很多定语(条件),写书难就难在这儿,比如很多书在阐述半导体零电场平衡情形时,没有在零电场前加定语“macro”,导致论述不严密。
所以说MOS管beta是无穷大时,必须在前面加定语低频,否则再说MOS管电流增益截止频率gm/Cg时就矛盾了.
3,关于Ro,不排除在某一频率点、某一直流偏执条件下,会得到上面的近似表达式。严格小信号分析的话,电路中的所有电阻和管子小信号模型中的所有电阻都要算上,还是很复杂的。但是这个小信号分析对系统整体而言没什么意义,所以没看到哪本书对其严格推导过,最多是在某一工作点下,对半边电路小信号分析下而已。 |