本帖最后由 mwrookie 于 2012-11-27 21:05 编辑
不用考虑rbb' 典型bjt管子rbb'相对rpi小得多，更重要的是rbb'也是随bias 电流IC变化的，还是比较复杂的非线性变化，但是大致上说会随着IC的增大而减小。
而且对于功放管，从IC工艺制成角度简单来说， 其实都是把许多小管芯并联起来在封装在一起组成一个功率管的，所以功放管的各端电阻参数比普通管的都要小个数量级。更无须考虑rbb', rbb'需要在意情况一般是 高频与rpi并联额电容的影响到 rpi从信号分压减少的情况。建议还是先搞清每个参数的物理意义。
gm参数之所以重要是因为它是设计参数，可由bias设计，而beta是厂商参数(但其实是个分散性很大很不准的参数)，beta和gm又决定rpi, 对于fet管 beta无穷大，rpi无穷大。
但是小号模型 对 静态bias会变化的功放来说本来就是无法使用的。所以输出电流变化越大 大信号失真越明显。
仅作定性分析，大电流输出时，输出的阻抗估算位 R7//R8是合理的。(并联是因为这里是AB类bias，求输出电阻的定义是将输入信号short后，在输出加入测试电路压和测试电流来求)。
要对算小信号输出阻抗的准确表达试也不是什么难得，虽然对功放来说小信号模型其实没大的意义，找本像样的教科书不是这种cookbook，看看 跟随器电路的输出电阻算法就行了，只是这里为并联的对管，改下参数就行了。其实全是基本概念。
功放的确是比较特殊的电路 一般不是算出,仿真出的，除非有厂家提供精确度极高大信号模型参数。所以传统的固态PA设计一般都是一边tune一边设计吧，小信号分析大多也就能提供个变化趋势上的参考而已。实际考虑电抗性等其他效应会更麻烦。 |
楼主
