推挽电路最佳偏置点选择以及输出阻抗的计算

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 楼主| LAORUAN 发表于 2012-11-24 13:27 | 显示全部楼层
15# xukun977


第二点是什么意思啊?表示不理解。。。
 楼主| LAORUAN 发表于 2012-11-24 13:32 | 显示全部楼层
2# maychang

我在想,如果第一图中那点为7.5V,那交越失真怎么来的?这种情况下,假设输入0.2v,那么输出不是也可以有0.2V?

但是我又觉得,如果那点电压是6.9V,那么为何交越失真会是对称的?
maychang 发表于 2012-11-24 13:48 | 显示全部楼层
我认为R5R6数值较大,正是因为此电路未使用自举。
因为未使用自举,输出正峰时Tr3的管压降相当大(比Tr3发射结压降大得多),但若没有R5R6(短路掉),输出负峰却仅比地(0V)高Tr4发射结压降加上Tr1饱和压降。那么此时(没有R5R6)将静态调整到7.5V是不合理的,应该调到比7.5V低一些才对,否则正向输出幅度与负向输出幅度不等。
现在输出静态调到7.5V,负向幅度有余量,故此可以加入R5R6且数值较大,并不影响输出幅度。若使用了自举,那么R5R6数值尤其是R6并联电容就是很不可取的设计。
要充份利用电源电压,如10楼所说,应该采用自举,同时去掉R5R6,而且加入负反馈以稳定静态工作点。
maychang 发表于 2012-11-24 13:53 | 显示全部楼层
22楼:
假定第一图中两发射极联接处为7.5V,两基极联接处7.7V,上管发射结两端电压0.2V,基极电流多大?是否能够脱离截止区?
Lgz2006 发表于 2012-11-24 14:03 | 显示全部楼层
20# LAORUAN
书上计算R3是根据后面Tr3和Tr4的基极电流大小来设定共发射极集电极上电流大小,同时也设定A点的电位在电源电压与GND的中点。
1.这样做,要么中(A)点电位不能保证,要么电压利用率下降
R9是使C4放电用的电阻(为在接通电源后,即使接上扬声器,也不会发出震动噪声);
2.这么简单的功放,谁会等上电完了再接喇叭呢
R5,R6的选取是根据集电极电流,以及发射极电压来设定的。书上说发射极电位不能太低,也不能太高,太低则会使集电极电流随温度的变化又增大,太高则不能得到大的集电极振幅。
3.见10楼,同1.
图中的C2的作用是什么?我表示不理解,书上是这么说的:由于C2的插入,高频失真率得到改善。
但是在后面设计的电路图中,又没看到C2。
我最早的理解是:如果用两个二极管进行偏置,二极管对于交流电压来说可以认为是短路的,因此不需要C2,但是这里是用三极管来进行偏置,就需要C2,但是从后面的电路没有C2来看,感觉不是这样的。
4.C2可有可无。若用,容量偏小。不做太多评价









   
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icecell 发表于 2012-11-24 14:58 | 显示全部楼层
一图的输出是7.5V,你从npn看是7.5-0.6,那你从pnp看是多少? 交越失真就是因为这点是7.5V,所以你的npn需要一个Vbe才能打开,pnp也需要一个Vbe才能打开。

二图的输出阻抗也不能说书上的错,2楼解释了
icecell 发表于 2012-11-24 15:01 | 显示全部楼层
C2有用的,有了C2,两只R,三极管和C组成的偏置的直流和交流就和两只二极管的一样了,用处的高频时把固定的电阻短路。
Lgz2006 发表于 2012-11-24 15:52 | 显示全部楼层
前面有两位借用gm参数计算了等效输出阻抗。
若gm就是不常见之“互导”参数,那么两个计算就即有错又有误
现在用大众参数β对从A点向左看进去的阻抗Ro做个简单计算:
1.上下2管Tr3,Tr4极少同时工作,可视作单管“射极输出”考虑计算
2.有式:Ro≈R7+re+(rbb'+R3)/β     其中,re小而不定可忽略;rbb'无从知晓也忽略
    得:Ro=R7+R3/β
3.取β=100,代入:Ro=0.5+330/100=3.8(Ω)
2楼口算数值,最为接近,理论正确
MCU52 发表于 2012-11-24 18:49 | 显示全部楼层
1,10mA电流能在1R电阻上产生0.03V,
2,看清我上面的条件再说话,
3.你计算少了RBE,所以从输出电阻还要加,RO=R7+RE+(RBE+RBB+R3)/B
4,我不要假设B=100,所以精确不在一个层面。
xukun977 发表于 2012-11-24 18:52 | 显示全部楼层
1,小信号分析时,用gm来的更快更简洁些,所以一般电路分析书多用gm而不用beta.
2,OP参数说明书中一般不提Ro这一指标,一般就算提也只是平均值,因为实际工作中多用于闭环,则实际值严重依赖于环路增益,就算是开环,大信号工作时,它会严重依赖于管中电流。但是肯定会给出source和sink电流。
上面计算很明显当成理想小信号放大器来算了,若要更严格分析,前面VR1可调电位器也要包括进来了。典型的741按照此算法,加上20几欧保护电阻,Ro也只40多欧,而手册上给的典型值是75欧。所以一般只是估算一下。
MCU52 发表于 2012-11-24 19:08 | 显示全部楼层
对29L申明下,
1,上面RBE只是发射结动态阻抗,不包括基区扩散电阻RBB
2,上面对R0的计算是进入B类时的近似计算,A类时按前面方法计算。
Lgz2006 发表于 2012-11-24 19:33 | 显示全部楼层
29# MCU52
1,10mA电流能在1R电阻上产生0.03V,

2,看清我上面的条件再说话,
你有什么条件限制说话了
3.你计算少了RBE,所以从输出电阻还要加,RO=R7+RE+(RBE+RBB+R3)/B
我还少算了前roe呢,可这能改变书中“输出阻抗0.25欧是错误的”这个结论吗
4,我不要假设B=100,所以精确不在一个层面。
你的GM如何取值,以至于得出“0.4+0.25”这个没谱儿的数值

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MCU52 发表于 2012-11-24 19:43 | 显示全部楼层
1,你再看下电路吧
3,又扯ROE鸟,rpi和它是一个级别的吗,
4,GM怎么取值是按电路来滴,不是假设的。
Lgz2006 发表于 2012-11-24 19:51 | 显示全部楼层
30# xukun977
1.理论电路分析多用gm是事实。本案这里有几个原由:1. 晶体管手册难觅gm;2.此地人们不太熟悉;3.R7一项难用gm.相比之下用B反而更简捷
2.本案主题之一就是“输出阻抗”,因而论及。书中电路缺陷之一就是没有反馈环节
3.你的“0.5/gm”确实错了
xukun977 发表于 2012-11-24 22:40 | 显示全部楼层
1,理由不成立。无论上npn还是pnp,无论是硅是砷化镓,1mA对应38mA/V,根本无需手册。gm/ID已成工业优化设计方法首选。
2,我那个是估计平衡态小信号输出阻抗的,你那个是半边电路,所以结果不同。非线性输出阻抗在四分之一周期内一直在变化。
3,试验了下,R=5000、beta=200*256(大林顿),RC=0.1欧姆,RB=20欧姆,
照上面你那公式,Ro=0.1欧姆,加Rc等于0.2。根据负载等于Ro,波形幅度减半,得到实际值约为1欧姆。
改变负载,输出明显的非线性,负载从8欧变到4欧时,输出几乎不便,1欧时非常敏感,可见,用线性方法计算Ro精度差。
xuxikfg 发表于 2012-11-24 22:45 | 显示全部楼层
第一个推挽电路用不了
Lgz2006 发表于 2012-11-25 11:25 | 显示全部楼层
1.gm也好,B也罢。若能殊途同归就好
2.我是抄袭“低频小信号放大”之“共集态等效输出阻抗”原理公式,稍作省略。
  它并不会因半边/整边而发生本质改变。其中影响大的非线性项已经忽略
  即便是小信号纯甲类放大,两管并联,改成Ro≈R7/2+re/2+(R3+rbb'/2)/B即可
3.不知所云
4.仅从量纲单位考察,“0.5/gm”一式不是阻抗单位,足见其错
5.可以验证:*你把“0.5/gm”式的来历摆一下看看
            *就以本案电路仿真看看
xukun977 发表于 2012-11-25 12:31 | 显示全部楼层
4,1/gm的量纲是电压比电流,电压比电流是不是电阻你自己琢磨吧。用gm还有个好处是:MOS和BJT的模型是一样的。
另外,如果大家只是把魔电当成娱乐玩具玩倒每什么,但若是吃饭的家伙,必须把rpi、Cpi,gm,beta,fB,fT,tao等9大参数和40个模型参数(描述电流的、描述电阻的、描述时间的、噪声的两个)玩熟。如何根据datasheet中所给的ON、OFF、small signal和switching四种状态配合各Curve得到这些参数也重要。
5,不推导了,平常都是直接拿过来用的,比如最基本的push-pull反向放大器,跨导是gm1+gm2,输出阻抗是1/(gds1+gds2)。
mwrookie 发表于 2012-11-25 14:18 | 显示全部楼层
gm的确是最重要的模拟设计中的参数,楼上说的没有问题,不熟悉的建议从看看基本原理。设计bias电路就是设计gm.第一幅图如果是对管0.5/gm输出阻抗没有问题。
但是 在下要说一下: 功放是模拟设计里很特别的东西,要从大信号角度分析。不像在小信号时刻那样认为静态工作点bias电流是不变的,bias电流是变化的,所以功放的gm也是会变得,对于bjt来说贝塔 rpi 等参数也都会变的。就这个推挽输出功放电路而言,他的交流输出阻抗也是随着输出的幅度在改变的,不像小信号那样是几乎不变的。对于输出给负载大电压的时候,电流很大,bias电流这时刻很大实际上大于图上标注的 10mA静态bias电流,所以大流输出时 bjt管的 gm=IC/Vt 会很大。这就是功放的大信号引起的非线性特性之一(注意和前面交越失真引起的非线性不同哦),输出电流变化越大 这种非线性失真越显著。 对于第二图,估计作者认为大电流输出时 gm 很大,即这时从输出bjt的E级看进去的电阻因为这个大gm作用变得很小,比R7或R8小很多,所以输出电阻由E级的反馈电阻R7估算就可以了,就是这个意思。

电容C2就是让AB两点交流等电位,不让推挽输出级的bias电路影响交流信号
Lgz2006 发表于 2012-11-25 14:58 | 显示全部楼层
哦,多少有些误解0.5=1/2≠V/I
B是原理基本性参数,gm是导出应用性参数。两者模型及技巧必有不同,却不应反目
“0.5/gm输出阻抗”怎么就能够忽略R3R7呢
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