贵在**，说的好啊！

只看该作者 · 2009-2-27 05:57

这个与上张一样，不过是换了个拍摄角度。

只看该作者 · 2009-2-27 06:04

把带电（用头发摩擦过）的塑料笔靠近栅极导线，发光二极管也没有受到影响（尽管靠的很近），仍然是和以前一样亮。

只看该作者 · 2009-2-27 06:14

把插针从插座上拔出（相当于开关K打开）。这时二极管仍然是亮的，但是栅极已经处于悬空的高阻状态了（相对于S极或地）。

只看该作者 · 2009-2-27 06:19

把用头发摩擦过的塑料笔靠近栅极导线（尽管离的比较远，大约有10CM），二极管也明显的暗了下来。

只看该作者 · 2009-2-27 06:22

在靠近点，二极管完全不亮了。

只看该作者 · 2009-2-27 06:24

换个角度，二极管仍然是不亮的。

只看该作者 · 2009-2-27 06:27

在换个方向，栅极导体仍然处在静电场的“势力”范围内，它还是不亮。

只看该作者 · 2009-2-27 06:33

好了，现在我们把塑料笔逐渐地远离栅极，二极管渐渐的亮了起来。当带电的塑料笔离开栅极大约25CM后，发光二极管便亮如当初了。

只看该作者 · 2009-2-27 06:44

MOS管是电压控制型器件，表现为VGS对IDD的控制作用。而IDD是通过发光二极管的电流，表现为发光二极管的发光强度随IDD变化。
显然，是静电场（由带电体激发的）改变了栅极导体的电位（或电势），即VGS。从而控制了漏极电流IDD的大小，进而使发光二极管的亮度发生了变化。

显然，静电场对电路是有影响的，特别是高阻抗的电路。