我仿照着圈圈的128M U盘代码尝试了一下2G，USB2.0高速的实现，可是发现读写速度还是不理想，比如写速度900k/s 左右，而读速度4M/s左右，无法和买的U盘比啊，故此有两个疑问，一是为什么买的U盘的写速度可以达到7M/s,读速度可以达到15M/s,它们的速度为什么这么快？硬件应该也一般吧，难道是专用的，还是算法牛的很？有没有人了解？
第二个疑问是我测试发现圈圈写扇区代码的以下部分，严重影响了写速度，因为Remain是根据命令封装包CBW包中的CBW.dDataLength和Write(10)中的传输长度中的长度大小判断的，可是这两个值好像恒定为0x10000，而不能超过该值，详见另外一个帖子https://bbs.21ic.com/icview-537161-1-1.html
所以以下代码的执行过于频繁，严重影响了写速度。@computer00 ，请问我分析的有问题没有？ 有没有什么好的写入优化算法可以参考？
大家有何高见，欢迎解答，谢谢！
if(Remain==0) //剩余扇区数为0，不会再写了，需要写回
{
if(FlashNeedWriteBack) //如果前面写了数据，则需要将当前读出的page写回
{
if(FlashWritePage()&0x01) //写入失败
{
Addr=FlashDealBadBlock(Addr,3); //坏块处理
}
}
//将地址所在页之后的页都从交换区复制回去
//计算剩余页数 地址所在块的剩余页 = 地址所在块的下一块的块首地址 - 地址所在页的页地址
Remain=(((Addr+FLASH_BLOCK_SIZE)&(~(FLASH_BLOCK_SIZE-1)))-(Addr&(~(FLASH_PAGE_SIZE-1))))/FLASH_PAGE_SIZE-1;
//计算在交换块中的起始页地址 交换地址=交换块首地址+块内偏移地址
SwapPageAddr=FlashGetCurrentSwapBlock()+(Addr&(FLASH_BLOCK_SIZE-1));
for(i=0;i<Remain;i++) //将该块内保存在交换块中剩余部分页的数据复制回该块
{
Addr+=FLASH_PAGE_SIZE; //从下一页开始写
SwapPageAddr+=FLASH_PAGE_SIZE;
if(0x01==(FlashCopyPage(SwapPageAddr,Addr)&0x01)) //如果复制失败
{
Addr=FlashDealBadBlock(Addr,2); //处理坏块
}
}
FlashNeedWriteBack=0; //清除需要写回标志
FlashCurrentWriteSectorAddr=-1;
}
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