正向导通硅pn结内电场内建电势Uh究竟是几伏

只看该作者 · 2013-8-5 16:28

不要耍太极。
你说它是工程问题，那就说明你在工程实践里见过，那就能举出例子。举不出就说明是在信口雌黄

只看该作者 · 2013-8-5 17:03

orangelxlf，楼主又没有指定谁回答，您大可不必如此激动呢！
既然你愿意搀和，再弱弱地问你一下。小时候你学语文，你能保证你老师让你学的每个字日后都能排上用场吗？很难保证的。你敢对老师说：“你让我学的这个字没用”吗？你不敢的！

为什么你现在如此嚣张，只是你要掩盖你不会回答这个问题的事实真相罢了。

只看该作者 · 2013-8-5 17:11

没用乎，没面子乎？真正原因是小七子、orangelxlf、maychang等一干人马合起来也回答不了这个简单问题，所以就说它没用。

苹果吃不到，就说它酸。

只看该作者 · 2013-8-5 17:19

不说了，没意思。说个笑话吧。一个人说三八二十五，另一个人说他错了，是三八二十四。两人争论不休，于是告官。当官的说把三八二十四的人拉下去打三十大板。三八二十四的人很不服气：明明我对了为什么我要挨打。官说，他都那样了你还和他挣就该挨打

只看该作者 · 2013-8-5 17:21

自由pn结内电场电势Uho、正通pn结内电场电势Uh，这些都是模拟电子学最基本的问题。而且很多模拟电子学著作和模拟电子技术教科书都提到了。不过只是提到了，后文又没有了。Uho、Uh究竟多大，如泥牛入海无消息，是用心的读者最纠结的。不提则罢，提了，又欲言而止，最讨厌。
Uho、Uh究竟是多大，以及类似的问题，就像横亘在读者面前的一个个拦路虎、一块块绊脚石。
让我们大家**协力，搬掉这一个个拦路虎、一块块绊脚石，尽快扫清学习模电的道路，造福于读者。

只看该作者 · 2013-8-5 23:19

这是Paul R. Gray书上的内容。但他没有计算具体的数值，因为掺杂浓度的离散性是很大的。内建电势还与温度有关。这个参数对电路设计的影响不大

只看该作者 · 2013-8-5 23:22

这个应该是与很多因素有关的，比如掺杂浓度啊。。。。。

只看该作者 · 2013-8-6 08:48

与sxdxy商榷：“这个参数对电路设计的影响不大”
一个参数指标，影响不大，甚或没有影响，其实可以根本不提。
既然提到了，就要适当解决，不要留尾巴。
最使人讨厌的就是一句话说了半截儿，欲言又止，故弄玄虚，吊人胃口！

1万 · 2013-8-6 09:11

咱去看了***PPT也没有，若是华科清华也不说，看来没有知道的
必有几个原因，1. 现有理论不够成熟；2. 专科小本模电基础是以电路为主；3.这是一件华丽外衣，轻易不露

只看该作者 · 2013-8-6 09:37

是六老哥子太忙了，以至于连看个PPT都是走马观花

看来得给六老哥子配一个阅读秘书了！

只看该作者 · 2013-8-6 09:47

本帖最后由心底无私于 2013-8-6 13:43 编辑

上一篇答复里边的Ub就是华科PPT里边写的Uho

这里Ub就是华科PPT里边写的Uh。

以硅pn结为例再次证明如下。
通常掺杂浓度下硅pn结开路时内电场电势Uho=Ee=0.7V，而正向导通时正向压降亦是0.7V。
由PPT图可以看出，若认为pn结正向导通时仍旧有残余内电场存在，则正向压降由Ee与Ub的差组成
Ee-Ub=0.7V
Ee=0.7V
故pn结正向导通时Ub=0，实际上正向压降仅由Ee构成

修改原因：填补遗漏

1万 · 2013-8-6 10:00

哎，秘书也没用，观不着那个花啊——满PPT没有个Uho。好吧，就Ee啦
它怎么就和“正向压降”巧合呢，又怎么知道它0.7V就对呢

只看该作者 · 2013-8-6 10:18

Lgz2006 发表于 2013-8-6 10:00
哎，秘书也没用，观不着那个花啊——满PPT没有个Uho。好吧，就Ee啦
它怎么就和“正向压降”巧合呢，又怎么 ...

Uho是一个老掉牙的老符号。所以在31楼特地强调：上一篇答复里边的Ub就是华科PPT里边写的Uho
只是没有套红。看来您六老哥子真的该配一个多功能秘书了，嘻嘻

扩散势Ee怎么就和“正向压降”巧合呢？

1. 方向符合
正向压降就是扩散势Ee的方向
2. 数值符合
就硅pn结来说，扩散势Ee=0.7V，正向压降也是0.7V

只看该作者 · 2013-8-6 10:24

所以说，0.7V正向压降其实就是来源于扩散势Ee。
可以看出来，内电场电势Ub与扩散势Ee方向相反，故Ub的存在会减弱Ee的作用。
如果pn结正向导通时仍旧存在残余的内电场，那么正向压降就会小于扩散势，硅pn结正向压降就不是0.7V了，就会小于0.7V。
实际上，硅pn结正向压降就是0.7V，与扩散势相等。所以说pn结正向导通时，内电场就没有了，Ub=0。

1万 · 2013-8-6 10:34

当初咱要是不弄那些破电路，就不用这么费心了
不过，正向压降从几十mV到1000多毫伏是平滑连续的曲线，PPT怎么就选定0.7V而不是0.95V做为Ub的证明呢

只看该作者 · 2013-8-6 10:57

六老哥子说pn结正向压降从几十mV到1000多毫伏，就举出几十mV的例子来。
众所周知，通过控制掺杂浓度，实际硅二极管pn结正向压降分布在0.4V~0.8V。0.7V是最典型的。拿最典型的来讲课，难道不客观吗。

1万 · 2013-8-6 11:22

你还别说，真让秘书给找着一个

2万 · 2013-8-6 11:29

1. 方向符合
正向压降就是扩散势Ee的方向
2. 数值符合
就硅pn结来说，扩散势Ee=0.7V，正向压降也是0.7V

:lol 世界上只有***能这么“聪明”，会凑数据。

难怪有人说：锅内大学老师中，至少60%都是不称职的。
你看***，他连内建电势（结电势）和turn-on(或cut-in)电压都分不清，居然是教授级的。。。。。

删帖撤人，不参与毫无内容的讨论，浪费宝贵时间。。。

只看该作者 · 2013-8-6 11:48

1、小七子你凑凑试试来。只是你连凑都不会，所以又来踢馆子来了。你捣乱、浑水摸鱼、踢馆子都两年了，想骂杀人，结果把自己搞得人不人鬼不鬼的。摸摸你的脑门儿、手指头和脚丫丫，疼不疼！
2、turn-on(或cut-in)电压与内建电势（结电势），根本就是两码事儿，居然还是出自985大学的博导教授之口

只看该作者 · 2013-8-6 11:51

humy1990 发表于 2013-8-5 23:22
这个应该是与很多因素有关的，比如掺杂浓度啊。。。。。

目前问题是给定掺杂(原子)浓度，比如10∧15/立方厘米，和温度，比如300k，但是没有计算方法。

没有计算方法的根源是，多子扩散电流与少子漂移电流平衡论是不适的。
不说别的，就如何计算多子扩散电流，尤其是如何计算少子漂移电流，还没见谁做过！

所以说，拿少子漂移与多子扩散相平衡，就像试图用蜘蛛网阻挡滔天洪水一样愚蠢无比！

大凡一个观点若客观合理，就能从定性议论发展到定量计算。一个观点若是谬误，就不可能从定性议论发展到定量计算。少子漂移与多子扩散相平衡的理论，就是这样一种谬误。

正向导通硅pn结内电场内建电势Uh究竟是几伏

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