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buck开关电源 MOS管驱动问题

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hkcj 发表于 2013-8-15 19:35 | 显示全部楼层
好好学学  
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 20:42 | 显示全部楼层
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 14:12
嗯，看到了

有木有简单一点的方式解决这个问题？
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 21:01 | 显示全部楼层
omi_liang 发表于 2013-8-15 13:42
是Vgs，我想问，你电路上Vs为多少V，Vg为多少V，Vgs为多少V呢？

我说错了，导通的时候，VG几乎等于Vs，这种方式看样子不行，要找一种可以增大VGS的方法
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 21:03 | 显示全部楼层
lyjian 发表于 2013-8-15 12:50
２－４Ｖ是VGS的电压，不是VG的电压
你的驱动电路没办法保证VGS电压>4V，也就是说没办法让MOS管饱和导通 ...

有木有一种简单点的方法解决此问题?
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不亦心 发表于 2013-8-15 23:05 来自手机 | 显示全部楼层
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 21:03
有木有一种简单点的方法解决此问题?

简单的办法是低边驱动，即mos与地连，浮地输出，能否接受？led驱动经常这么干。。。
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ygl968 发表于 2013-8-15 23:24 | 显示全部楼层
学习
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HORSE7812 发表于 2013-8-16 11:07 | 显示全部楼层
mark
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-16 12:36 | 显示全部楼层
本帖结论：
NMOS管很烫原因是工作的放大区而不是开关区，工作在开关区的条件为Vgs>4V，而不是Vg>4V。
解决办法：
1：加自举电路，（1)可以用专门的驱动芯片IR2110等，(2).用三级管搭建。由于前一种缺芯片，后一种因为本人对三极管不常用，还需学习。
2：换成Pmos，Pmos容易驱动一些，最好是Pmos和Nmos联合用。也可以是P型复合管和N型复合管。
3：改成接地型连接，本电路buck拓扑不能用。
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评论

不亦心
还有浮地驱动，变压器驱动。。。  发表于 2013-8-16 13:10
lyjian 发表于 2013-8-16 12:39 | 显示全部楼层
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 21:03
有木有一种简单点的方法解决此问题?

加个自举电路本来就很简单
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-16 12:45 | 显示全部楼层
lyjian 发表于 2013-8-16 12:39
加个自举电路本来就很简单

好吧，我试试
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jjeemm77 发表于 2013-8-16 14:48 | 显示全部楼层
简单快捷…换P道！…
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ssagittis 发表于 2013-8-16 23:47 | 显示全部楼层
学习了，刚买了这个想试一下呢:)
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-17 12:31 | 显示全部楼层
ssagittis 发表于 2013-8-16 23:47
学习了，刚买了这个想试一下呢

共同进步，我也再试，先做好了就说经验哈
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-17 12:49 | 显示全部楼层
今天817我用下图测量开关MOS管，本以为Gs电压通过门槛电压4V后，输出应该为VD-1.2=VS，可是实际不是这样，输入9V出来只有5V，输入5V输出也接近5V，输入12输出6V，如果真是这样，我那电源发热也太正常了，正在找原因，那位大神知道怎么用的告诉一下

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crazy2012 发表于 2013-8-17 13:27 | 显示全部楼层
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-17 12:49
今天817我用下图测量开关MOS管，本以为Gs电压通过门槛电压4V后，输出应该为VD-1.2=VS，可是实际不是这样， ...

都说过了得需要用PMOS的。你这个Vgs显然不是  门槛电压哦。
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crazy2012 发表于 2013-8-17 13:38 | 显示全部楼层

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McuPlayer 发表于 2013-8-17 13:46 | 显示全部楼层
你用PMOS的驱动方法驱动NMOS，显然不行啊
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crazy2012 发表于 2013-8-17 14:17 | 显示全部楼层
McuPlayer 发表于 2013-8-17 13:46
你用PMOS的驱动方法驱动NMOS，显然不行啊

新手，刚开始玩MOS管，就是这样的，呵呵。
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-17 14:37 | 显示全部楼层
McuPlayer 发表于 2013-8-17 13:46
你用PMOS的驱动方法驱动NMOS，显然不行啊

我这是Pmos驱动方法吗？那Nmos驱动方式是什么
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 楼主| shuiqinghan2012 发表于 2013-8-17 16:08 | 显示全部楼层
crazy2012 发表于 2013-8-17 13:27
都说过了得需要用PMOS的。你这个Vgs显然不是  门槛电压哦。

为什么非要PMOS，我NMOS测试如上图，相当于高边驱动，
测试条件如下D为输入直流电压，G为PWM，S示波器测试端
1：D=5V，G=10V100khz，S=5V100KhzPWM。
   D=5V。G=0V         S=1.2~2.2之间波动
2：D=15V，G=27.2V100Khz，S=15V，100KhzPWM
   D=15,G=0；          S=2~3.8之间波动
这说明我开关开的状态时对的，而关的状态工作在放大区，所以发热严重，
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