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buck开关电源 MOS管驱动问题

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楼主: shuiqinghan2012
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好好学学  

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-15 20:42 | 只看该作者
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 14:12
嗯,看到了

有木有简单一点的方式解决这个问题?

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-15 21:01 | 只看该作者
omi_liang 发表于 2013-8-15 13:42
是Vgs,我想问,你电路上Vs为多少V,Vg为多少V,Vgs为多少V呢?

我说错了,导通的时候,VG几乎等于Vs,这种方式看样子不行,要找一种可以增大VGS的方法

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-15 21:03 | 只看该作者
lyjian 发表于 2013-8-15 12:50
2-4V是VGS的电压,不是VG的电压
你的驱动电路没办法保证VGS电压>4V,也就是说没办法让MOS管饱和导通 ...

有木有一种简单点的方法解决此问题?

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不亦心| | 2013-8-15 23:05 | 只看该作者
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 21:03
有木有一种简单点的方法解决此问题?

简单的办法是低边驱动,即mos与地连,浮地输出,能否接受?led驱动经常这么干。。。

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ygl968| | 2013-8-15 23:24 | 只看该作者
学习

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HORSE7812| | 2013-8-16 11:07 | 只看该作者
mark

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-16 12:36 | 只看该作者
本帖结论:
NMOS管很烫原因是工作的放大区而不是开关区,工作在开关区的条件为Vgs>4V,而不是Vg>4V。
解决办法:
1:加自举电路,(1)可以用专门的驱动芯片IR2110等,(2).用三级管搭建。由于前一种缺芯片,后一种因为本人对三极管不常用,还需学习。
2:换成Pmos,Pmos容易驱动一些,最好是Pmos和Nmos联合用。也可以是P型复合管和N型复合管。
3:改成接地型连接,本电路buck拓扑不能用。

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不亦心 2013-8-16 13:10 回复TA
还有浮地驱动,变压器驱动。。。 
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lyjian| | 2013-8-16 12:39 | 只看该作者
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-15 21:03
有木有一种简单点的方法解决此问题?

加个自举电路本来就很简单

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-16 12:45 | 只看该作者
lyjian 发表于 2013-8-16 12:39
加个自举电路本来就很简单

好吧,我试试

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jjeemm77| | 2013-8-16 14:48 | 只看该作者
简单快捷…换P道!…

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ssagittis| | 2013-8-16 23:47 | 只看该作者
学习了,刚买了这个想试一下呢:)

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-17 12:31 | 只看该作者
ssagittis 发表于 2013-8-16 23:47
学习了,刚买了这个想试一下呢

共同进步,我也再试,先做好了就说经验哈

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-17 12:49 | 只看该作者
今天817我用下图测量开关MOS管,本以为Gs电压通过门槛电压4V后,输出应该为VD-1.2=VS,可是实际不是这样,输入9V出来只有5V,输入5V输出也接近5V,输入12输出6V,如果真是这样,我那电源发热也太正常了,正在找原因,那位大神知道怎么用的告诉一下

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crazy2012| | 2013-8-17 13:27 | 只看该作者
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-17 12:49
今天817我用下图测量开关MOS管,本以为Gs电压通过门槛电压4V后,输出应该为VD-1.2=VS,可是实际不是这样, ...

都说过了得需要用PMOS的。你这个Vgs显然不是  门槛电压哦。

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crazy2012| | 2013-8-17 13:38 | 只看该作者
si4435dypbf.pdf (107.71 KB)

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McuPlayer| | 2013-8-17 13:46 | 只看该作者
你用PMOS的驱动方法驱动NMOS,显然不行啊

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crazy2012| | 2013-8-17 14:17 | 只看该作者
McuPlayer 发表于 2013-8-17 13:46
你用PMOS的驱动方法驱动NMOS,显然不行啊

新手,刚开始玩MOS管,就是这样的,呵呵。

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-17 14:37 | 只看该作者
McuPlayer 发表于 2013-8-17 13:46
你用PMOS的驱动方法驱动NMOS,显然不行啊

我这是Pmos驱动方法吗?那Nmos驱动方式是什么

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-17 16:08 | 只看该作者
crazy2012 发表于 2013-8-17 13:27
都说过了得需要用PMOS的。你这个Vgs显然不是  门槛电压哦。

为什么非要PMOS,我NMOS测试如上图,相当于高边驱动,
测试条件如下D为输入直流电压,G为PWM,S示波器测试端
1:D=5V,G=10V100khz,S=5V100KhzPWM。
   D=5V。G=0V         S=1.2~2.2之间波动
2:D=15V,G=27.2V100Khz,S=15V,100KhzPWM
   D=15,G=0;          S=2~3.8之间波动
这说明我开关开的状态时对的,而关的状态工作在放大区,所以发热严重,

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