本帖最后由 eyuge2 于 2017-4-9 15:32 编辑
工作机理，国内作者写的模拟电路的书上也有一些介绍。
1.
在BE正偏的情况下，是电子从发射区来到了基区。
这些电子在基区称为非平衡少子（NPN三极管），这些电子从基区跑到集电极应该称为漂移才对，不是扩散。
CB的PN结是反偏的，结内部的电场与外加电场的方向一致，作为非平衡少子的电子是逆着电场的方向移动。
2.
如果VCE在减小，最终等于VBE，这时候CB结的外电场消失。这时候电子完全依靠PN结的内部电场来移动。
3.
个人认为这时候应该是一个转折点，如果VCE继续减小，CB的PN结是就是正偏了。外电场与结电场的方向是反的。
基于上面的看法，所以个人比较认同VCE=VBE时候，晶体管处于临界状态。
4.
但是具体来说，外电场的方向以及大小 对电子的移动究竟有多大影响，例如VBC=0.1V，向集电极移动的电子是不是大幅度减少，这个我没有看到过相关的介绍。
如果有相关的资料，欢迎推荐。
5.
打一下自己的脸.
刚刚用multsim仿真了一下镜像电流的电路，三极管用的是BC817.
确实在VBC=0的时候与放大区域相比，三极管的直流放大倍数没有什么变化。
甚至在VBC=0.3v的时候都没有什么变化。
所以这里说声抱歉。究竟什么时候饱和，能从三极管的数据手册中看出来吗，应该怎么看。
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