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[电子元器件]

12VDC 1.5欧姆分合闸电磁铁两端并续流二极管型号选择？

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楼主: 爬山虎1234
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41楼
shalixi| | 2013-11-27 09:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
JD1是什么，内部接线？

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42楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-27 15:55 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-27 09:56
JD1是什么，内部接线？

是一个继电器 12线圈  34常开触头

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43楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-27 16:00 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-11-26 14:35
不需要串电阻。

mosfet输入电阻是接近无穷大，但为什么要串电阻呢？

朋友 能不能给点这部分走线方面的建议呢 现在是覆铜皮的  Q1S是MOS   D2是续流二极管 J6是电源接口 谢谢

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44楼
DianGongN| | 2013-11-27 16:14 | 只看该作者
本帖最后由 DianGongN 于 2013-11-27 16:15 编辑

流过8A电流的线条，至少8mm宽，越宽越好，可以开窗上锡。
你的Q1上应该有2条宽线，D和S，图上只有1条。
宽线的长度尽可能短，所以大电流的元件和接插件优先，排在一起。

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45楼
shalixi| | 2013-11-27 16:31 | 只看该作者
爬山虎1234 发表于 2013-11-27 15:55
是一个继电器 12线圈  34常开触头

4去哪，3干啥？

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46楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-27 16:40 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-11-27 16:14
流过8A电流的线条，至少8mm宽，越宽越好，可以开窗上锡。
你的Q1上应该有2条宽线，D和S，图上只有1条。
宽 ...

还有一端接地的 没注意呢  汗 看来还得优化一下  还有就是敷铜时  与这部分的间距有什么特殊的要求呢  真心感谢

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47楼
shalixi| | 2013-11-27 16:41 | 只看该作者
你的图有问题。

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48楼
DianGongN| | 2013-11-27 17:27 | 只看该作者
爬山虎1234 发表于 2013-11-27 16:40
还有一端接地的 没注意呢  汗 看来还得优化一下  还有就是敷铜时  与这部分的间距有什么特殊的要求呢  真 ...

你最高电压12V，所以距离没有要求，不会击穿的。按pcb厂家的规范就行了

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49楼
DianGongN| | 2013-11-27 17:30 | 只看该作者
你只要注意光耦两边距离要足够，光耦原边和付边之间不要走线，这样光耦的隔离效果才会好。

光耦原边和付边的电源要隔离，不要共地

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50楼
DianGongN| | 2013-11-27 17:33 | 只看该作者
爬山虎1234 发表于 2013-11-27 16:40
还有一端接地的 没注意呢  汗 看来还得优化一下  还有就是敷铜时  与这部分的间距有什么特殊的要求呢  真 ...

好像你直接画pcb图，没有通过原理图一步一步走过来，非常容易出错，速度也慢

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51楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-27 21:02 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-11-27 17:30
你只要注意光耦两边距离要足够，光耦原边和付边之间不要走线，这样光耦的隔离效果才会好。

光耦原边和付边 ...

我们给付边也就是三极管这边的地取个GND1 二极管这边取个GND 你的意思是不是这两个地分开  然后用个0欧姆电阻单点连接 而单片机的地连GND ？谢谢

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52楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-27 21:04 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-11-27 17:33
好像你直接画pcb图，没有通过原理图一步一步走过来，非常容易出错，速度也慢 ...

最近这半年才开始做电路设计 ，以前就给打杂的，所以问题多多啊，还望你多多指教呢

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53楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-27 21:23 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-11-27 17:30
你只要注意光耦两边距离要足够，光耦原边和付边之间不要走线，这样光耦的隔离效果才会好。

光耦原边和付边 ...

还有一个问题呢 电源怎么实现隔离 现在的电磁铁12V是直接从输入取过来的 光耦的3.3V是12V经过7805后再来一个LDO转3.3的？

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54楼
DianGongN| | 2013-11-27 23:10 | 只看该作者
本帖最后由 DianGongN 于 2013-11-27 23:15 编辑
爬山虎1234 发表于 2013-11-27 21:23
还有一个问题呢 电源怎么实现隔离 现在的电磁铁12V是直接从输入取过来的 光耦的3.3V是12V经过7805后再来 ...


这样的电源是共地的，如果要隔离的话，一般做法是用12V通过隔离的DCDC产生cpu的3.3V。这样就隔离了。

如果考虑成本，也可以不隔离，用MOSFET比用继电器干扰小，应该不会干扰cpu。
这样的话，光耦就当驱动电路使用，没有隔离作用。电路和原来是一样的，光耦两边都是GND。
光耦位置的走线不限制，因为它没有隔离作用了。

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55楼
戈卫东| | 2013-11-28 00:00 | 只看该作者
那么大的电容,会造成电源跌落的,而且继电器触点烧蚀厉害.

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56楼
戈卫东| | 2013-11-28 00:08 | 只看该作者
电源--->电磁铁--->MOS-D--->MOS-S--->电源,整个回路都要走粗线.

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57楼
戈卫东| | 2013-11-28 00:09 | 只看该作者
爬山虎1234 发表于 2013-11-27 16:00
朋友 能不能给点这部分走线方面的建议呢 现在是覆铜皮的  Q1S是MOS   D2是续流二极管 J6是电源接口 谢谢
...

这种电源插头可能无法承受10A的电流.

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58楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-28 08:54 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2013-11-28 00:00
那么大的电容,会造成电源跌落的,而且继电器触点烧蚀厉害.

恩 现在用光耦加MOS了 不用继电器了

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59楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-28 08:59 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-11-27 23:10
这样的电源是共地的，如果要隔离的话，一般做法是用12V通过隔离的DCDC产生cpu的3.3V。这样就隔离了。

如 ...

嗯 真心感谢

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60楼
爬山虎1234|  楼主 | 2013-11-28 09:00 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2013-11-28 00:09
这种电源插头可能无法承受10A的电流.

朋友能不能推荐一种啊 见得少 不太了解  谢谢

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