求一个驱动3.3~5V的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.

发表于 2014-4-8 20:41

还是用NPN+NMOS，来得可靠，NMOS当作缓冲器输出。

发表于 2014-4-8 20:44

diy1997 发表于 2014-4-8 20:37

负载(输出5V) 应该是 NPN上面那个电阻吗?

这种电路消耗的电流会不会有些大呢?

发表于 2014-4-8 20:54

zyj9490 发表于 2014-4-8 20:41
还是用NPN+NMOS，来得可靠，NMOS当作缓冲器输出。

求个图 :)
我已经打板好多次了, 不想再失败了.

顺便分析一下在待机时, 功耗的优势

发表于 2014-4-8 20:55

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-8 21:05 编辑

zyj9490 发表于 2014-4-8 20:41
还是用NPN+NMOS，来得可靠，NMOS当作缓冲器输出。

http://zhidao.baidu.com/link?url=1-WGeGYjbFu0biRdJk2y1WaQ98lAyX_2evApWc0jGAnuQBmnwRkXFsnMhvVoW0cISAmz655DiPJKKSjWbvhqHK

是不是和这个图的A部分差不多?

问题是: 我想做高端负载开关, 也就是关断负载的电源正极.

发表于 2014-4-8 20:59

问下，低电平时，电源输出，高电平时关闭，MCU刚上电，IO是高阻，可以是低电平，电源可以开启吗？

发表于 2014-4-8 21:03

zyj9490 发表于 2014-4-8 20:59
问下，低电平时，电源输出，高电平时关闭，MCU刚上电，IO是高阻，可以是低电平，电源可以开启吗？ ...

，MCU刚上电，IO是高阻，可以是低电平，电源可以开启吗？

--- IO是高阻时, 是个高电平(量这个IO和 GND, 电压是1.8V), 所以高电平导通了.

发表于 2014-4-8 21:06

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 21:03
，MCU刚上电，IO是高阻，可以是低电平，电源可以开启吗？

--- IO是高阻时, 是个高电平(量这个IO和 GND, ...

不一定是高电平，肯定有弱上拉在里面，可以接下拉电阻拉低。

发表于 2014-4-8 21:08

zyj9490 发表于 2014-4-8 20:59
问下，低电平时，电源输出，高电平时关闭，MCU刚上电，IO是高阻，可以是低电平，电源可以开启吗？ ...

这个ARM 2440的IO, 在待机休眠和开机上电期间, 都是高阻态, 电压为1.8v.
可是我恰恰不希望这些时候导通,

但是用了NMOS就会高电平导通.
但是没有找到1.8v为高电平的非门...

发表于 2014-4-8 21:09

zyj9490 发表于 2014-4-8 21:06
不一定是高电平，肯定有弱上拉在里面，可以接下拉电阻拉低。

我将电阻从 47K变为10K, 还是导通, 换为4.7K, 还是导通 -_-

发表于 2014-4-8 21:12

zyj9490 发表于 2014-4-8 21:06
不一定是高电平，肯定有弱上拉在里面，可以接下拉电阻拉低。

我是将R6电阻去掉了(短路), 将R7电阻从47K改为10, 再改为4.7k, 都不可以.

是不是R6电阻不能去掉, 而是将R7移到R6的左边才有效呢?

发表于 2014-4-8 21:15

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 21:08
这个ARM 2440的IO, 在待机休眠和开机上电期间, 都是高阻态, 电压为1.8v.
可是我恰恰不希望这些时候导 ...

你要看下这个ARM的端口可有保持功能，应可以设的，

发表于 2014-4-8 21:16

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 20:55
http://zhidao.baidu.com/link?url=1-WGeGYjbFu0biRdJk2y1WaQ98lAyX_2evApWc0jGAnuQBmnwRkXFsnMhvVoW0cISA ...

这个链接打不开。

发表于 2014-4-8 21:26

zyj9490 发表于 2014-4-8 21:15
你要看下这个ARM的端口可有保持功能，应可以设的，

待机时虽然可以控制, 但是开机大约15秒, 无法控制.

请教一下: 这里有个NMOS非门, 是不是能满足我的非门要求呢?
http://www.docin.com/p-222630131.html

发表于 2014-4-8 21:29

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 21:26
待机时虽然可以控制, 但是开机大约15秒, 无法控制.

请教一下: 这里有个NMOS非门, 是不是能满足我的非门 ...

电平降不下来，刚开机时，不是高阻的表现呵。

发表于 2014-4-8 21:34

zyj9490 发表于 2014-4-8 21:29
电平降不下来，刚开机时，不是高阻的表现呵。

额... 刚刚仔细看了一下手册, 确实如你所说,

在reset模式下, 是个O(H), 输出高电平.

睡眠模式下是Hi-z, O(H)

发表于 2014-4-8 21:42

本帖最后由 zyj9490 于 2014-4-8 21:45 编辑

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 21:34
额... 刚刚仔细看了一下手册, 确实如你所说,

在reset模式下, 是个O(H), 输出高电平.

那要双端口控制来区分是休眠还是复位，不用加逻辑器件。全1或全0二种状态处理，正常工作时是可控的。

发表于 2014-4-8 21:49

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-8 21:50 编辑

zyj9490 发表于 2014-4-8 21:42
那要双端口控制来区分是休眠还是复位，不用加逻辑器件。全1或全0二种状态处理，正常工作时是可控的。 ...

呵呵听不懂了.

发表于 2014-4-8 21:58

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 21:49
呵呵听不懂了.

可能有三种状态，一种复位状态，一种休眠，一种是程序控制，每一种状态必须正确控制电源控制。这是一个逻辑电路来实现，

发表于 2014-4-8 22:07

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-8 22:10 编辑

zyj9490 发表于 2014-4-8 21:58
可能有三种状态，一种复位状态，一种休眠，一种是程序控制，每一种状态必须正确控制电源控制。这是一个逻 ...

嗯, 复位和休眠时, 状态差不多. 可以忽略.

问题是我现在怎么做呢.

明天试试用2个NMOS做个反向电路试试. 但是我一个开关电路需要4个MOS管了, 觉得占地面积较大.

难道最后我必须选择这2种方案?
1. 买高边负载开关.
2. 用NMOS关断负载的负极.

发表于 2014-4-8 22:12

二个BJT和一个NMOS完全可以做出来。

[电路/定理] 求一个驱动3.3~5V的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.

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