用三极管控制P沟道MOS管，但是MOS管关不断是什么原因？

发表于 2014-4-15 15:58

做什么？频率这么高啊？

发表于 2014-4-15 16:32

3.7V可以吗，楼主

登录 · 发表于 2014-4-15 16:56

试一试这个：

发表于 2014-4-15 18:53

xmar 发表于 2014-4-15 16:56
试一试这个：

50mA的冲电啊,有违能源利用率啊.

发表于 2014-4-15 20:58

dontium 发表于 2014-4-15 09:49
MOS管的G极有寄生电容，它是与工艺及管子功率有关的，驱动它时必须考虑这个问题。

楼主的电路，一般用于数 ...

如果频率为125K那电路改为怎样才合适呢？

发表于 2014-4-15 23:31

发表于 2014-4-16 00:37

莫〆唯影发表于 2014-4-15 20:58
如果频率为125K那电路改为怎样才合适呢？

达到125KHz时，楼主电路中的三极管也要改了，不然，它输出的下降沿也成了问题。

发表于 2014-4-16 08:47

莫〆唯影发表于 2014-4-15 10:08
BAT是3.7V的电池

不算高，但应该也够了

发表于 2014-4-16 11:27

你要根据结电容和R15的RC时间常数来确定。

发表于 2014-4-16 13:22

宋业科发表于 2014-4-15 15:58
做什么？频率这么高啊？

不这么高MOS管会发热的！

发表于 2014-4-16 13:23

莫〆唯影发表于 2014-4-16 13:22
不这么高MOS管会发热的！

越高越热。

登录 · 发表于 2014-4-16 13:26

zyj9490 发表于 2014-4-14 21:18
还是增加一级射随驱动比较可靠.

用了你的电路，MOS管输出成这样了~~

发表于 2014-4-16 13:27

宋业科发表于 2014-4-16 13:23
越高越热。

不是持续时间越长越热吗？

发表于 2014-4-16 15:21

莫〆唯影发表于 2014-4-16 13:26
用了你的电路，MOS管输出成这样了~~

MOSFET 被反压击穿了。
按我的说法接个抗饱和电路试一试？

发表于 2014-4-16 18:17

本帖最后由 zyj9490 于 2014-4-16 18:36 编辑

莫〆唯影发表于 2014-4-16 13:26
用了你的电路，MOS管输出成这样了~~

你这个什么负载啊？是感性负载吗？负载的过渡过程。要加消磁电路。把栅极电阻加大点，是否改进高电平时的振玲。看下栅极的波形是否有振玲。

发表于 2014-4-16 18:26

wh6ic 发表于 2014-4-16 15:21
MOSFET 被反压击穿了。
按我的说法接个抗饱和电路试一试？

很正常啊，负载有感性成分，才会产生过冲和振荡。

登录 · 发表于 2014-4-16 18:57

本帖最后由 bald 于 2014-4-16 18:59 编辑

高频应用，栅源结电容是一个不容忽视的问题。无源驱动的情况下，降低栅源电阻可以有效的加速电荷释放速度，其代价是功率损耗增加同时增加驱动管的负担。

可以试一下下面这个低阻释放电路，图中R1和R3用于控制关断速度，R2则是用来控制导通速度的。

去掉R13不可取，这会严重影响8050关断速度的，如果前级驱动能力不够可以适当加大这个电阻的阻值。

____IE11添加图片的功能似乎有些问题

发表于 2014-4-16 20:14

wh6ic 发表于 2014-4-16 15:21
MOSFET 被反压击穿了。
按我的说法接个抗饱和电路试一试？

我试了下出来的波形和上图差不多的

发表于 2014-4-16 20:36

zyj9490 发表于 2014-4-16 18:17
你这个什么负载啊？是感性负载吗？负载的过渡过程。要加消磁电路。把栅极电阻加大点，是否改进高电平时的 ...

不是，就是一个发热体，电阻为2.2欧

发表于 2014-4-16 20:38

不会是电阻丝吧,什么型号,什么机理发热.

用三极管控制P沟道MOS管，但是MOS管关不断是什么原因？

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