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用三极管控制P沟道MOS管,但是MOS管关不断是什么原因?

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楼主: 莫〆唯影
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做什么?频率这么高啊?

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huagaoteng| | 2014-4-15 16:32 | 只看该作者
3.7V可以吗,楼主

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xmar| | 2014-4-15 16:56 | 只看该作者
试一试这个:

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zyj9490| | 2014-4-15 18:53 | 只看该作者
xmar 发表于 2014-4-15 16:56
试一试这个:

50mA的冲电啊,有违能源利用率啊.

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莫〆唯影|  楼主 | 2014-4-15 20:58 | 只看该作者
dontium 发表于 2014-4-15 09:49
MOS管的G极有寄生电容,它是与工艺及管子功率有关的,驱动它时必须考虑这个问题。

楼主的电路,一般用于数 ...

如果频率为125K那电路改为怎样才合适呢?

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鸟鸟| | 2014-4-15 23:31 | 只看该作者

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dontium| | 2014-4-16 00:37 | 只看该作者
莫〆唯影 发表于 2014-4-15 20:58
如果频率为125K那电路改为怎样才合适呢?

达到125KHz时,楼主电路中的三极管也要改了,不然,它输出的下降沿也成了问题。

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grasswolfs| | 2014-4-16 08:47 | 只看该作者
莫〆唯影 发表于 2014-4-15 10:08
BAT是3.7V的电池

不算高,但应该也够了

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XZL| | 2014-4-16 11:27 | 只看该作者
你要根据结电容和R15的RC时间常数来确定。

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莫〆唯影|  楼主 | 2014-4-16 13:22 | 只看该作者
宋业科 发表于 2014-4-15 15:58
做什么?频率这么高啊?

不这么高MOS管会发热的!

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宋业科| | 2014-4-16 13:23 | 只看该作者
莫〆唯影 发表于 2014-4-16 13:22
不这么高MOS管会发热的!

越高越热。

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莫〆唯影|  楼主 | 2014-4-16 13:26 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2014-4-14 21:18
还是增加一级射随驱动比较可靠.

用了你的电路,MOS管输出成这样了~~

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莫〆唯影|  楼主 | 2014-4-16 13:27 | 只看该作者
宋业科 发表于 2014-4-16 13:23
越高越热。

不是持续时间越长越热吗?

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wh6ic| | 2014-4-16 15:21 | 只看该作者
莫〆唯影 发表于 2014-4-16 13:26
用了你的电路,MOS管输出成这样了~~

MOSFET 被反压击穿了。
按我的说法接个抗饱和电路试一试?

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zyj9490| | 2014-4-16 18:17 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2014-4-16 18:36 编辑
莫〆唯影 发表于 2014-4-16 13:26
用了你的电路,MOS管输出成这样了~~

你这个什么负载啊?是感性负载吗?负载的过渡过程。要加消磁电路。把栅极电阻加大点,是否改进高电平时的振玲。看下栅极的波形是否有振玲。

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zyj9490| | 2014-4-16 18:26 | 只看该作者
wh6ic 发表于 2014-4-16 15:21
MOSFET 被反压击穿了。
按我的说法接个抗饱和电路试一试?

很正常啊,负载有感性成分,才会产生过冲和振荡。

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bald| | 2014-4-16 18:57 | 只看该作者
本帖最后由 bald 于 2014-4-16 18:59 编辑

高频应用,栅源结电容是一个不容忽视的问题。无源驱动的情况下,降低栅源电阻可以有效的加速电荷释放速度,其代价是功率损耗增加同时增加驱动管的负担。
可以试一下下面这个低阻释放电路,图中R1和R3用于控制关断速度,R2则是用来控制导通速度的。



去掉R13不可取,这会严重影响8050关断速度的,如果前级驱动能力不够可以适当加大这个电阻的阻值。

____IE11添加图片的功能似乎有些问题

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莫〆唯影|  楼主 | 2014-4-16 20:14 | 只看该作者
wh6ic 发表于 2014-4-16 15:21
MOSFET 被反压击穿了。
按我的说法接个抗饱和电路试一试?

我试了下出来的波形和上图差不多的

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莫〆唯影|  楼主 | 2014-4-16 20:36 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2014-4-16 18:17
你这个什么负载啊?是感性负载吗?负载的过渡过程。要加消磁电路。把栅极电阻加大点,是否改进高电平时的 ...

不是,就是一个发热体,电阻为2.2欧

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zyj9490| | 2014-4-16 20:38 | 只看该作者
不会是电阻丝吧,什么型号,什么机理发热.

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