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半导体有多种类型，又有不同容量、速度和作用，但最广泛使用最常见的是 NAND 闪存（Flash），因此针对此类芯片的任何一次进步都有可能影响到各个行业。 日前，SanDisk 和东芝宣布，已经完成了迄今为止全球最领先的 15nm NAND 闪存的研发。
一般而言，提到半导体器件的制造工艺多数都会涉及晶片上集成的晶体管之间的连线宽度。更小的连线宽度可以在不增加芯片体积的情况下，集成更多的晶体管，使芯片的功能得到大幅扩展和提升。而且连线宽度越小，晶体管的极限工作能力提升幅度越大，意味着先进的制造工艺将带来更出色的性能，同时能效越高。
毫无疑问，SanDisk 和东芝将 NAND 闪存研发带到了全新的里程碑，势必在全球行业内造成重大影响，因为 15nm 的 NAND 闪存芯片制造工艺基本上是世界上最先进的工艺。
据介绍，全球第二大 NAND 闪存厂商东芝将通过 15nm 工艺打造 2bpc MLC 128Gb(16GB) 颗粒。得益于更先进的工艺改进了外围电路，其传输速率相比上一代 19nm 的模块提高了 30%。
东芝表示，自家的 15nm NAND 闪存模块将会于四月底在日本三重县四日市的 Fab 5 厂房开始进行量产，针对平板电脑、智能手机和笔记本固态硬盘的 NAND 模块将使用 3bpc 的颗粒。同时，SanDisk 也将使用 15nm 生产 2bpc 和 3bpc 闪存颗粒，具体计划在今年下半年。
目前半导体业务各大厂商都在追求新的工艺，但产能并不足以满足供给，由于苹果获得了台积电大量 20nm 订单，Nvidia 和 AMD 的新一代显卡被迫停留在 28nm 工艺。另外，英特尔以及 GlobalFoundries 和三星合作的最新的 14n 制造工艺也做好了准备，今年年底就能在市面上看到成品，但是良品率依然是这些半导体厂商的痛。
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