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求解：mos管频频被烧

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楼主: heqiangbb
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21楼
myf3659| | 2014-5-8 13:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
heqiangbb 发表于 2014-5-8 13:01
刚才按你说的测试了，R1,R2减少20倍，R3,R4减少10倍。。。。。。结果还是烧掉了 ...

实验时该看下DS间的波形，到底是电压过高，还是电流过高，你在DS间串电阻了吗？

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22楼
yangdiandong| | 2014-5-8 13:40 | 只看该作者
你的电磁阀可是感性负载，驱动感性负载要加续留回路以及尖峰吸收回路！

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23楼
yangdiandong| | 2014-5-8 13:40 | 只看该作者
你的电磁阀可是感性负载，驱动感性负载要加续留回路以及尖峰吸收回路！

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24楼
yangdiandong| | 2014-5-8 13:55 | 只看该作者
heqiangbb 发表于 2014-5-8 13:01
刚才按你说的测试了，R1,R2减少20倍，R3,R4减少10倍。。。。。。结果还是烧掉了 ...

要是因为工作是mos严重发热烧毁，减小电阻增大驱动能力做法的对的，为了增大开关速度减少开关损耗。但你这是驱动感性负载，减小电阻开关速度更快，感生电动势更大

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25楼
william008| | 2014-5-8 14:10 | 只看该作者
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了，只有2只PMOS了，能说下你这样认为的原因么，难道觉得电流的问题，我测试时加的外部负载时1A的 ...

如果你担心烧掉， 可以把负载换成阻性负载，并且电流小一些，或者是把24V电源换成带限流的电源。
这些都是调试手段。不要傻乎乎的霸王硬上弓，烧坏无数元件。

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26楼
gx_huang| | 2014-5-8 14:40 | 只看该作者
就是，这么简单的电路，要学会调试。
电压可以慢慢升高，可以电源上或者负载上串限流电阻。

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27楼
宋业科| | 2014-5-8 15:02 | 只看该作者
heqiangbb 发表于 2014-5-8 11:51
VGS（max）=正负25V；按我这个电路mos管工作的时候VGS应该是-16V左右

10V就够了吧？

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28楼
戈卫东| | 2014-5-8 17:13 | 只看该作者
看来楼主也许不知道是什么时候烧的。
你的电源是24V，管子耐压是30V，感性负载断流时会产生高压的，估计吸收元件没有产生作用，MOS吸收了这个能量，导致烧掉。
建议再增加一个二极管做吸收，你那TVS可能是双向的，吸收不到这个冲击－－－－－－试试看，不保证管用喔。。。。。。。。。。。

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29楼
戈卫东| | 2014-5-8 17:19 | 只看该作者
烧毁事件是发生在输入信号变成0的时候－－－－－－－－－猜测。。。。。。。。

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30楼
shenyunfei| | 2014-5-8 18:20 | 只看该作者
我觉得william008讲的是对的，你的R1，R2那么大，PMOS打开时间肯定很长，PMOS打开的过程是一个可变电阻的过程，而且电磁阀又是感性负载，开始导通时相当于短路，电流很大，那你的PMOS管不烧才怪。你可以先把负载改成电阻性负载，电流控制在1A，然后用示波器看看管子GD电压变化，上升沿必须在1微秒以内，如果超过了那就要调整R1，R2甚至是R3，R4了。还有你控制1A的电磁阀，PMOS保守要5A的电流，不知道IRF9392电流是多大。还有，电磁阀只要并个续流二极管就行了，不要什么TVS管，那是帮倒忙。用30V的管子控制24V本身余量就不足，对照上面你再查查看。

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31楼
风见准人| | 2014-5-8 18:20 | 只看该作者
三极管的基极串个电阻，MOS管的Ids多大？Vout是悬空的吗？

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32楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:32 | 只看该作者
myf3659 发表于 2014-5-8 13:37
实验时该看下DS间的波形，到底是电压过高，还是电流过高，你在DS间串电阻了吗？ ...

嗯应该看下的，只看了S端和G端的电压，没有发现有电压出现尖端峰值的情况，D端电压没有看。。。。明天做实验看看

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33楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:34 | 只看该作者
yangdiandong 发表于 2014-5-8 13:40
你的电磁阀可是感性负载，驱动感性负载要加续留回路以及尖峰吸收回路！

嗯电磁阀终端放了TVS吸收负载的反相电动势，哎，搞不清楚有没有作用，用的M7

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34楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:35 | 只看该作者
william008 发表于 2014-5-8 14:10
如果你担心烧掉， 可以把负载换成阻性负载，并且电流小一些，或者是把24V电源换成带限流的电源。
这些都 ...

谢谢，我明天再做下实验，把感性负载换成阻性负载，再把24V换成12V，看看最后一只PMOS会不会烧掉:(

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35楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:37 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2014-5-8 14:40
就是，这么简单的电路，要学会调试。
电压可以慢慢升高，可以电源上或者负载上串限流电阻。 ...

调试经验还是不够。。。谢谢指教

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36楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:41 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-8 17:13
看来楼主也许不知道是什么时候烧的。
你的电源是24V，管子耐压是30V，感性负载断流时会产生高压的，估计吸 ...

我决定明天把感性负载电磁阀换成电阻负载看看，这个TVS应该可以吸收吧，我另一款用NMOS做的开关电路，也是用这个负载以及这个tvs，用了很长时间没有发生nmos被烧的情况，不过也可能电路不一样所以没有发现这个问题也不一定

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37楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:43 | 只看该作者
yangdiandong 发表于 2014-5-8 13:55
要是因为工作是mos严重发热烧毁，减小电阻增大驱动能力做法的对的，为了增大开关速度减少开关损耗。但你 ...

嗯受教了，不过如果是感生电动势的原因，为什么没有加三极管输入回路的时候，电路没有出现烧mos管的情况了？

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38楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:44 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-8 17:19
烧毁事件是发生在输入信号变成0的时候－－－－－－－－－猜测。。。。。。。。 ...

有可能。。。。。。。

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39楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:51 | 只看该作者
shenyunfei 发表于 2014-5-8 18:20
我觉得william008讲的是对的，你的R1，R2那么大，PMOS打开时间肯定很长，PMOS打开的过程是一个可变电阻的过 ...

IRF9392的电流是Is=-2.5A，电磁阀的原因：按照我的实验当不接三极管这部分输入端的时候，能驱动电磁阀而不被烧掉。。。。。。。哎，不解了，怎么感觉理没有越辩越明了，越来越糊涂了

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40楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 19:56 | 只看该作者
风见准人 发表于 2014-5-8 18:20
三极管的基极串个电阻，MOS管的Ids多大？Vout是悬空的吗？

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