本帖最后由 Power0088 于 2019-3-13 17:43 编辑
谢谢老师细心解答，我想只要看老师的每一句回复，都能较深刻了解MOS了。首先，我知道MOS管三个区，分别是截止区，饱和区（对应三极管放大区），可变电阻区（对应三极管饱和区），我也知道t0-t1是截止区，t3-t4是可变电阻区，只是t1-t2和t2-t3还没理解明白。
没理解清楚t1-t2为什么是截止区而不是放大区。假如Vth=2V,Va(Vt2)=4V，如果我给3V的驱动，不是对应了一个电流吗？而且描述MOS放大性能好像是用跨导Gm（对应三极管的β），也就是说t1-t
2之间的任意一个Vgs，都一一对应一个Ids【饱和区（放大），Vgs*Gm=Ids】。
另外，如果按您说的米勒电容的原因，哪应该t2时间点以后，MOS已经完全导通了吧（进入可变电阻区），只是电压因为电容原因，还没降下来。最后请问老师，我理解偏差在哪里呢，请指正谢谢
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