基本共射放大器输入阻抗

登录 · 发表于 2014-8-7 09:45

众所周知，一般研究电路时，都是先来个理论上的predicted，然后有条件就来个仿真器的simulated，最后来个实验室的measured，最好的情形是以上三者得到的结果大致相同。

当然了，三者顺序不绝对，比如经常是测的"反常"数据，被迫再理论上的推理研究。

但无论是哪一种情形，理论所扮演的角色，都是为最终实测结果服务的，提供解释说明。
否则，这个理论，只能叫"空洞理论"。

共射放大器就是一个好的例子，教科书上这么写，许多人也坚信，RL与Zin无关！
为什么实际上是这样的:

注:图中曲线采用了类似波特图的折线近似，实际曲线是平滑过渡的。

注:本贴不谈理想模型，一堆没用的空头大道理，哪有时间听啊？

发表于 2014-8-7 12:37

本帖最后由 jz0095 于 2014-8-7 12:39 编辑

许多人也坚信，RL与Zin无关！

许多人坚信，是“RL与Zin无关，还是Zin与RL无关”？

发表于 2014-8-7 14:37

低频小信号当然无关。

如果考虑分布电容就有关系了。

发表于 2014-8-7 14:52

你这个图是怎么画出来的？输入阻抗是怎么测量的？

登录 · 发表于 2014-8-7 15:57

晶体管的许多参数都是用脉冲法测量的，如hFE，我们个人一般都没有这个条件。
所以只能借用别人的实验结果，下图是TI的晶体管电路设计一书中给的典型曲线:

这个曲线，与理论预测相一致，后面再说。
图中横坐标是负载电阻大小，纵坐标是Zin。

发表于 2014-8-7 16:00

一般讲设计的书都要求读者懂微积分，矩阵，信号等知识。
但人家侧重于实际的书，基本要求很变态--1.看到过actual晶体管，2.手头有晶体管datasheet。

发表于 2014-8-7 16:06

期待xukun977的大作......

发表于 2014-8-7 16:12

普通方法不能测，如果RL直接接在VCC上，当RL从几欧姆变化到几十兆欧姆，晶体管静态工作点都变了，甚至管子无法工作在线性区了。

发表于 2014-8-8 11:12

教科书上RL是通过电容耦合到晶体管集电极的。

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