推挽驱动感性负载感应电动势高压

只看该作者 · 2014-9-11 13:51

这个电路没有过压保护二极管。用C保护会带来其他的问题。
器件电流多大？如果电流不大，找几个高频二极管并联是可以的。
对于窄带压电晶体，LC匹配不是问题。匹配与不匹配，输出效率可以差很多。晶体的输出功率有多大？如果是几瓦，高频管子品种有多种可以挑选，电路、整机成本也有可能降不少。

只看该作者 · 2014-9-11 21:21

jz0095 发表于 2014-9-11 13:51
这个电路没有过压保护二极管。用C保护会带来其他的问题。
器件电流多大？如果电流不大，找几个高频二极管并 ...

后面在MOS管D极和S极加了TVS保护二极管，你所得高频二极管并联是并到变压器初级吗?
晶体输出功率10瓦，高频管子有哪些呢，能做到10M吗

只看该作者 · 2014-9-11 23:31

loy357lzc 发表于 2014-9-11 21:21
后面在MOS管D极和S极加了TVS保护二极管，你所得高频二极管并联是并到变压器初级吗?
晶体输出功率10瓦，高 ...

TVS管的高频（重复）特性不知道怎么样，对电路可能形成坏影响。高频二极管是并联到变压器初级，只在例如对管子开关控制下，对变压器电流的续流时导通。
说“晶体输出功率”可能离题比较远，提“晶体吸收功率是多大”对选器件会更直接。能处理10MHz电路的功率器件多了去了，不少是双极型的。你去NXP(飞利浦)，英飞凌（Motorola）等公司网站上查查，选Ft在100MHz附近的器件就行了；器件功率根据晶体的吸收功率而定，功率容量要有富余。还要注意耐压参数。有的器件会有应用电路。不过，搞高频功放，对新手是会有难度的。

只看该作者 · 2014-9-12 11:33

jz0095 发表于 2014-9-11 23:31
TVS管的高频（重复）特性不知道怎么样，对电路可能形成坏影响。高频二极管是并联到变压器初级，只在例如 ...

高频二极管耐压一般很低，而这个推挽电路初级感应电动势很容易升到100V，高频二极管并到变压器初级，只会降低效率啊，根本起不到作用，只能把尖峰脉宽拉低。

只看该作者 · 2014-9-12 13:27

loy357lzc 发表于 2014-9-12 11:33
高频二极管耐压一般很低，而这个推挽电路初级感应电动势很容易升到100V，高频二极管并到变压器初级，只会 ...

你的电源电压是多少？MOS管导通时，初级电压绝对值低于电源电压。
当有二极管续流时，初级电压绝对值也就是个正向管压降，约1V吧。初级端点对地电压最高是电源电压+1V。

只看该作者 · 2014-9-12 14:38

jz0095 发表于 2014-9-12 13:27
你的电源电压是多少？MOS管导通时，初级电压绝对值低于电源电压。
当有二极管续流时，初级电压绝对值也就 ...

电源电压30V，关键是MOS管关段时，反向电压大，上升时间快，10ns，就上升到接近100V了。我待会上图给你看

只看该作者 · 2014-9-12 17:13

本帖最后由 jz0095 于 2014-9-12 17:27 编辑

loy357lzc 发表于 2014-9-12 14:38
电源电压30V，关键是MOS管关段时，反向电压大，上升时间快，10ns，就上升到接近100V了。我待会上图给你看 ...

估算一下：
10ns的上升沿，相当于100MHz频率的周期。
100V的电压加在一个估计的负载上，电流有多大？1K负载对应于100mA的电流；10k负载对应于10mA的电流。

一个普通肖特基二极管，取耐压50V，工作频率一般是几个GHz ------ 速度不是问题。
其一般正向电流>250mA ---------- 续流也不是问题。
一旦导通，电压是上不去的。

一个表面贴片二极管几毛钱...

1万 · 2014-9-12 19:52

反向电动势比电源电压高出许多倍，不知道如何计算？

1万 · 2014-9-13 07:11

9楼29楼还是很有无虚价值的
可惜楼主喜欢篇幅写作
最大的原理性错误就是加什么续流2级管

只看该作者 · 2014-9-13 09:00

king5555 发表于 2014-9-12 19:00
改成自激式比較優良,振盪頻率由壓電片自我調适,可參考霧化器電路。

功率振荡器？
频率可以保证，但是要保证压电器件在振荡器中吸收、输出足够的功率，能办到吗？

3万 · 2014-9-13 18:27

自激振荡，是个好办法。

只看该作者 · 2014-9-14 12:25

jz0095 发表于 2014-9-12 17:13
估算一下：
10ns的上升沿，相当于100MHz频率的周期。
100V的电压加在一个估计的负载上，电流有多大？1K负 ...

能不能推荐个二极管型号，工作频率几个G，电流能达到250mA的，我找了好几个大厂都没发现有。

只看该作者 · 2014-9-14 12:29

king5555 发表于 2014-9-13 11:07
所以要動動䐉筋，樓主目前最大問題在于驅動頻率對不上壓電片頻率，那怕是少許的偏差，造成壓電片趨向于開 ...

我们是用DDS合成频率的，因为晶片用段时间会坏，需要更换，他激式随环境改变比较大，这个频带很窄的

3万 · 2014-9-14 13:12

loy357lzc 发表于 2014-9-14 12:29
我们是用DDS合成频率的，因为晶片用段时间会坏，需要更换，他激式随环境改变比较大，这个频带很窄的 ...

“因为晶片用段时间会坏，需要更换”
需要频繁更换，更应该采用自激方式工作。

只看该作者 · 2014-9-14 14:26

maychang 发表于 2014-9-14 13:12
“因为晶片用段时间会坏，需要更换”
需要频繁更换，更应该采用自激方式工作。 ...

还有一点，网了说了，自激的话，不能隔离，我这里是用变压器隔离了得，晶片两端电压有200v

只看该作者 · 2014-9-14 21:30

loy357lzc 发表于 2014-9-14 12:25
能不能推荐个二极管型号，工作频率几个G，电流能达到250mA的，我找了好几个大厂都没发现有。 ...

我以前查过器件列表，其中有工作频率一项，但是今天没有看到。
你查一下BAS316, BAV99，估计可以保护你的电路。如果单管不行，可以考虑组合使用。引线应尽量短。

只看该作者 · 2014-9-15 10:21

本帖最后由 jz0095 于 2014-9-16 09:05 编辑

captzs 发表于 2014-9-12 19:52
反向电动势比电源电压高出许多倍，不知道如何计算？

反电势的计算还是e=-L*di/dt。

根据所给条件，可以确定的参数有，dt=10nS，e对应的压降|u|=100V。
L、di都是未知。为了估计续流的范围，可以认为电感的功能是维持瞬态电流不变，续流起始的电流是最大值，I_max。100V是I_max在跃变阻抗上产生的峰值电压。如果能够根据经验合理地估计出跃变的阻抗，就可以估算出I_max。“跃变的阻抗”指在开关控制下管子D极对地的等效变化阻抗。这是在多个参数未知下的变通估算方法。

这里只是根据楼主的要求给出参考。若要讨论整体方案，还需楼主给出更多的信息。

3万 · 2014-9-15 15:01

loy357lzc 发表于 2014-9-14 14:26
还有一点，网了说了，自激的话，不能隔离，我这里是用变压器隔离了得，晶片两端电压有200v ...

自激不能隔离？
谁说的？

只看该作者 · 2014-9-16 08:57

"晶片两端电压有200v“
电压、电流有相差吗？能估算出吸收功率吗？

只看该作者 · 2014-9-16 09:07

41楼中“跃变阻抗”指在开关控制下管子的D极对地的等效变化阻抗。

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