1、Q1必须用高耐压管,因为控制芯片位于220V整流输出的“地”这一端,该电路又使用P沟MOS管,其门极位于整流输出的高电位端。Q1上面的直流压降就是为了让“地”端自控制芯片来的信号传递到高电位端。Q1不能说是“隔离了高压”。
这种方法在220V整流情况下可以用,但无法扩展到整流后直流电压达到1000V甚至2000V以上情况。
如果用光耦隔离或者变压器隔离,则可以在更高电压下传递信号,且消耗功率较小。
2、是。
3、D3和C4作用,分Q1导通和关断两种情况考虑。自己想吧。你的问题2已经与此有联系。 |