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.Q2发热严重,D2不亮,大家帮忙看看咯

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PA2几V啊?应该是PA2电压太低了,加个推挽电路,导通时电压为12V左右~

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ybluleezp| | 2015-6-24 23:01 | 只看该作者
本帖最后由 ybluleezp 于 2015-6-24 23:12 编辑

太纠结了,如果只是为了控制一个线圈电流有2A的继电器,如果板子的空间够的话,把mos管换成三极管,再加一级5V的继电器做开关,控制大电流的继电器,还可以节约物料成本。
而且你那个PA1的npn三极管,个人认为集电极应该做成一个上拉5V的加一个电阻,这样可以保证三极管工作在饱和区,可以把PA1的电平可靠拉低,三极管不导通时pa1就是可靠的高电平。可靠性好很多。

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huayuliang| | 2015-6-25 09:10 | 只看该作者
艰苦岁月_hui 发表于 2015-6-24 09:35
PA2直接驱动Mosfet,这个电路是个驱动继电器的电路,图纸红色部分本来是个继电器,这只是测试电路。
我估计 ...

从曲线上看,VGS=4.5伏时,电流是达不到2A的。。你都画了红框。
如果要达到2A 输出而不严重发热,VGS 应该大于6V

但如果不做大的改动,单靠MCU的输出电压,达不到要求。。

大电流的NPN 也不成,这类NPN管,电流放大倍数很低(几十),如果要在2A饱和,基极电流要很大。需要增加个NPN做成达林顿结构。

第二个问题没看明白。。

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Leeone| | 2015-6-25 09:25 | 只看该作者
发热肯定是MOS自身功耗大了,增大Vgs应该能解决问题

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ytg689| | 2015-6-25 11:50 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2015-6-24 09:24
我猜测是PA2给出的电压不够,MOS管没有完全导通

同意

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艰苦岁月_hui|  楼主 | 2015-6-25 13:24 | 只看该作者
huayuliang 发表于 2015-6-25 09:10
从曲线上看,VGS=4.5伏时,电流是达不到2A的。。你都画了红框。
如果要达到2A 输出而不严重发热,VGS 应 ...

首先感谢各位亲的指点,给我不少思路。
从曲线上看,VGS=4.5伏时,电流是达不到2A的。。你都画了红框。
如果要达到2A 输出而不严重发热,VGS 应该大于6V
Vgs=4.5V,Id=?曲线看的出来吗?哪里看的出来2A时是6V?

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shalixi| | 2015-6-25 13:44 | 只看该作者
艰苦岁月_hui 发表于 2015-6-25 13:24
首先感谢各位亲的指点,给我不少思路。
从曲线上看,VGS=4.5伏时,电流是达不到2A的。。你都画了红框。[/ ...

Tc=25℃ 20μS PULSE WIDTH的测试条件,你做到了吗?

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艰苦岁月_hui|  楼主 | 2015-6-25 13:54 | 只看该作者
shalixi 发表于 2015-6-25 13:44
Tc=25℃ 20μS PULSE WIDTH的测试条件,你做到了吗?

VGS有没有20us这个我还真不确定,这个产品是老美导入的。

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艰苦岁月_hui|  楼主 | 2015-6-25 13:57 | 只看该作者
ybluleezp 发表于 2015-6-24 23:01
太纠结了,如果只是为了控制一个线圈电流有2A的继电器,如果板子的空间够的话,把mos管换成三极管,再加一 ...

亲的意见是这样吗?见图,附件上传2个datasheet.

irfr024npbf,irfu024npbf-(NMOS 17A 55V 0.075r IR).pdf

400.46 KB

Mosfet

MMBT2222A-Fairchild.pdf

176.88 KB

三极管

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shalixi| | 2015-6-25 13:57 | 只看该作者
艰苦岁月_hui 发表于 2015-6-25 13:54
VGS有没有20us这个我还真不确定,这个产品是老美导入的。

你的测试数据和这个表对不上的,测试条件不同。

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艰苦岁月_hui|  楼主 | 2015-6-25 14:02 | 只看该作者
shalixi 发表于 2015-6-25 13:57
你的测试数据和这个表对不上的,测试条件不同。

问题是我每生产100片产品,只有2-3个不良,而且电路还的多个这样的通道。不是固定的某个通道出现这样的问题。个别LED点不亮。个别MOS管发烫。

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huayuliang| | 2015-6-25 14:50 | 只看该作者
本帖最后由 huayuliang 于 2015-6-25 15:00 编辑
艰苦岁月_hui 发表于 2015-6-25 13:24
首先感谢各位亲的指点,给我不少思路。
从曲线上看,VGS=4.5伏时,电流是达不到2A的。。你都画了红框。[/ ...

你似乎不太会看这种图。
4.5V 的曲线,Id 最大不到2A,从图上看应该是1.5A 左右,但这时的Vds 已经达到了12V 多。。
“如果要达到2A 输出而不严重发热,VGS 应该大于6V” ,这是估算出来的。。

估算错误。。

以 4.5V 的曲线为例吧,在Vds 等于 1V 时,Id 近似为1.2A(1.1?),功耗 1.2W,大致的Rds_on为 0.8欧。Vds=10V 时,Id 近似为1.3(4?)A,功耗 13W,大致的Rds_on为8欧。

先根据要求的温升,求出最大功耗。然后用这个图,根据电流和可能的Vds,选择合适的曲线。或者判断是否可以使用这个元件。
比如说可以接受的最大功耗为2W,按工作电流2A计算,Vds 为1V,那么Vgs=4.5的曲线就达不到要求了。

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shalixi| | 2015-6-25 15:16 | 只看该作者
艰苦岁月_hui 发表于 2015-6-25 14:02
问题是我每生产100片产品,只有2-3个不良,而且电路还的多个这样的通道。不是固定的某个通道出现这样的问 ...

你的问题可以肯定是Vgs小的原因,看来你要提高这个Vgs有难处,根据你说的情况,你也可以再找其他电流大一点,导通电阻小一点的MOSFET试试看。

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huayuliang| | 2015-6-25 15:36 | 只看该作者
突然发现,这么弄得多笨啊。。

正好有模型,仿真给你看下。。




几个 VGS 电压下的功耗:


可以看到最大功耗 在VGS=4.15V时,达到了5.9W。VGS=5V时,仅为 370mW。

你前面提到的 个别元件才有问题,那是元件参数的离散性问题,这也说明 接近临界了。

不改电路,起码你得选个低开启的MOSFET,比如 RFD7N10LE


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艰苦岁月_hui|  楼主 | 2015-6-25 16:04 | 只看该作者
谢谢各位亲的帮助。在此一并感谢啦。每天在 生产250套,看看结果吧。有情况再跟亲们反馈。

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艰苦岁月_hui|  楼主 | 2015-6-25 16:05 | 只看该作者
谢谢各位亲的帮助。在此一并感谢啦。明天再生产250套,看看结果吧。有情况再跟亲们反馈

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shalixi| | 2015-6-25 16:56 | 只看该作者
huayuliang 发表于 2015-6-25 15:36
突然发现,这么弄得多笨啊。。

正好有模型,仿真给你看下。。

你好认真。

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lyjian| | 2015-6-25 18:25 | 只看该作者
huayuliang 发表于 2015-6-25 14:50
你似乎不太会看这种图。
4.5V 的曲线,Id 最大不到2A,从图上看应该是1.5A 左右,但这时的Vds 已经达到了1 ...

你也不会看

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lyjian| | 2015-6-25 18:28 | 只看该作者
huayuliang 发表于 2015-6-25 14:50
你似乎不太会看这种图。
4.5V 的曲线,Id 最大不到2A,从图上看应该是1.5A 左右,但这时的Vds 已经达到了1 ...

从图上看,Vgs=4.5V曲线,ID=2A时,Vds需要0.5V。

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ybluleezp| | 2015-6-25 18:45 | 只看该作者
艰苦岁月_hui 发表于 2015-6-25 13:57
亲的意见是这样吗?见图,附件上传2个datasheet.

差不多就是这个意思,只是Q1基极的那个R1+5V应该放到集电极上。

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