那位高手能告诉：电压调节器从低功耗唤醒的时间。

发表于 2008-3-6 16:59

  STANDBY的唤醒延时应 = 电压调节器从低功耗唤醒的时间 + HSI RC唤醒时间。
  后者HSI振荡器启动时间tsu = 1-2μs。
  前者最大到底要多少时间？STM32F103_6_8_B.PDF中没有找到。

发表于 2008-3-6 17:53

在STM32F103xx数据手册(2007年11月第四版)的第48页有下面的部分，这应该是你要的数据。

发表于 2008-3-7 08:30

    我看到的老的资料见图。当初看到时就伤心：可调内核LDO的唤醒居然要38µs,不太相信。不过这个参数是夹在别的参数中的。不是一个独立的参数，怀疑是否有误，于是发贴求教。
    现在看来只能认了。但更伤心：比原来的更大了。看来，ST也是在边实验，边更改资料。但此参数是个TYP，不是MAX，不能作为设计的依据，只是参考。那么IC的用户该怎么办？实验 + 留余量。
    唉！做好低功耗，太难了。苦！
    顺便指出：老版中TYP栏中的值都等于左边栏中的和，现在不是。看来，必须搞清 “唤醒”的整个物理过程。
    另外再请教香主：TDB的含义和去掉这些TDB的时间。

发表于 2008-3-7 08:49

关于去掉这些TDB的时间，我去问一下，过一段再回答你。

发表于 2008-3-7 12:51

新版的数据手册中，没有了HSI RUN IN RAM的参数了，不知老版中的还管用吗？

发表于 2008-3-7 13:41

查了一下估计你说的是电流消耗，如果是这样的话，我只能说老版中的数据可以作为参考但不能作为依据；如果这个参数对你很重要，请直接联系ST的代理商通过正式渠道申请。

发表于 2008-3-7 13:51

请看

发表于 2008-3-7 13:59

ram run 比 flash run电流小得多，有油水。
在代码小，运行时间较长的情况下，极有价值。

发表于 2008-3-7 14:24

新版数据手册中分别有使用外部时钟在Flash和RAM中运行的电流消耗数据，但没有使用HSI的数据。正如我在6楼说的：“老版中的数据可以作为参考但不能作为依据；如果这个参数对你很重要，请直接联系ST的代理商通过正式渠道申请。”

另外程序在RAM中运行会比在Flash中运行慢，请看分析：STM32的程序跑在ram里快？还是跑在flash里快？

发表于 2008-3-7 15:02

“新版数据手册中分别有使用外部时钟在Flash和RAM中运行的电流消耗数据”是否指表11和表12？此2表和PLL有染，我关心无PLL的参数。

发表于 2008-3-7 15:05

而且，频率越低，油水越大。

发表于 2008-3-7 15:13

从7楼的图中的参数，横轴为频率，化作曲线，便可可看出端倪。
估计是由于取指部分的机制和电路的不同之故。

发表于 2008-3-7 16:08

请看表11的注(2)和表12的注(1)：External clock is 8 MHz and PLL is on when fHCLK > 8 MHz

图12和图13的曲线直观地给出了电流消耗与时钟频率和温度的关系。

发表于 2008-3-7 18:00

    看到7楼图中表示的2.3ma左右的值，才会高兴。也就是“ram run 比 flash run电流小得多”，才有继续挖潜的意义。
    但新老版的差异，总是令人遗憾。
    再次对香主的照应，表示感谢！

那位高手能告诉：电压调节器从低功耗唤醒的时间。

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感谢快速反应和敬业精神。

谢谢楼上的老者，TBD = To Be Determined

再打扰一下

不好意思，请说详细点：哪个版本，第几页？哪个参数？

这个

ram run 比 flash run电流小得多，有油水。

这么说我在6楼猜得是对的

谢谢

频率越低，油水越大。

估计是由于取指部分的机制和电路的不同之故。

新版手册中表11和表12中8MHz的数据为PLL关闭的数据

希望看到从7楼的图中表示的2.3ma左右的值。

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