请教，怎样对STM32FARM中Flash的某一位擦除？

发表于 2009-3-19 16:44

    想把数据分块存储在Flash中，想单独对Flsh中某一部分进行擦除和写入，而不是对整个业擦除。
    看了Flash.c文件中的选择擦除函数，没看懂什么意思，这个函数没有指定擦除地址竟然能实现擦除。
    有高手遇到过这类问题吗？

发表于 2009-3-19 16:48

不可以对页长度以下的任何单位进行单独擦除。

发表于 2009-3-19 16:50

哦，我看了LPC2138的资料，好像只能对扇区擦除
可是Flash.c文件中有对Byte进行擦除的函数

发表于 2009-3-19 16:51

如果我有5个数存储在一个业里边，要改其中一个怎么办呢？

发表于 2009-3-19 17:27

而且擦除操作也是按页进行的，不可能按字节擦除。任何一家的Flash都是如此。

需要按字节擦除的功能，请选用EEPROM。

发表于 2009-3-20 08:36

谢谢，看来STM32是在误导用户

发表于 2009-3-20 08:39

在FLASH_CR寄存器中确实有对BIT擦除的设置。

发表于 2009-3-20 09:31

Flash存储器只能按页擦除或整片擦除，这是基本常识，怎么能说STM32在误导用户？

请把认为误导用户的段落贴出来，我们一起讨论一下。下图是Flash_CR寄存器的说明，你认为哪里误导了？

发表于 2009-3-20 09:56

位5不是有擦除选择字节的设置吗

发表于 2009-3-20 09:58

在flash.c文件中也有相应的函数。

发表于 2009-3-20 10:38

即使误解也应该理解为多BYTE的操作，而不是对BIT的操作。

发表于 2009-3-20 10:42

您的意思是说可以对多个个BYTE进行擦除吗？
具体怎么操作呢？

发表于 2009-3-20 10:43

下图显示选择字节是一个区域：

下图显示这个区域具体包含哪些内容：

如果一定要咬文嚼字，我们可以把它写成“选择字节区”，谢谢！

发表于 2009-3-20 11:01

发表于 2009-3-20 11:20

原来是对选择字节设置。
多谢了

发表于 2009-3-20 12:08

发表于 2009-3-20 12:09

发表于 2014-12-11 13:57

坟贴

发表于 2015-12-5 21:56

先复制出来，再全部擦除，再重新写入是可以，但是这期间如果断电的话，有可能导致所有的数据吊事，这就让我们不得不编写更多额外的代码来确保数据不会丢失，或尽可能不会丢失

只能对STM32的Flash按页擦除，或对整个Flash区进行整体擦除