菜鸟问题：什么是MOS管的高(低)端驱动？

发表于 2009-12-5 22:08

GOOGLE了下，发现有不同的说法：
1、

低端驱动: 输入L时不通, 输入几伏时通, 有点类似于NPN管E极接地，C接负载，且负载到Vcc
高端驱动: 输入Vcc时不通, 输入Vcc减几伏时通, 有点类似于PNP管E极接Vcc，C接负载，且负载到地

2、高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V

上面两种说法中，对于高端驱动，一个说是比VCC低几伏，一个是比VCC高几伏。请问哪种正确呢？哪位好心人能不能通俗地解释下？多谢

发表于 2009-12-6 12:54

研究半天，没有搞懂

发表于 2009-12-6 12:59

是比VCC高还是低看用什么沟道的MOS管而已
P-MOS：比VCC低几伏
N-MOS：比VCC高几伏

发表于 2009-12-6 13:12

3# lyjian
那这么说，高端驱动针对的是NMOS的管子说的，而低端驱动是针对PMOS管说的，是吗？

发表于 2009-12-7 09:43

NMOS驱动有时需要一个比VCC更高的电压，并不是所有NMOS都要这么做

发表于 2009-12-8 10:19

NMOS PMOS 耗尽型增强型导通电阻为最小的条件

发表于 2009-12-8 11:55

老衲还是最怀念刚出家时的激情澎湃......