IO量的采集,前端用整形用光耦好还是用施密特好?

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 楼主| MaLaTang 发表于 2010-12-31 09:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
工业环境,对IO量的采集,前端的整形、保护见过两种方法,一是用光耦,二是用施密特(74HC14等),但是很多用光耦的场合光耦两边都是共电源共地的,我觉得如果是这种非隔离电源的情况,还不如直接用施密特来做。
不知大家看法如何?
mohanwei 发表于 2010-12-31 09:38 | 显示全部楼层
大不一样。你要是把电源线上的阻抗,分布电容电感都加到原理图里,就知道有什么区别了
 楼主| MaLaTang 发表于 2010-12-31 09:44 | 显示全部楼层
那是不是说光耦这种电流驱动的方式会好一点?
分布电感电容应该是对速度的影响吧?拉长上升沿下降沿?
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