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IO量的采集，前端用整形用光耦好还是用施密特好？

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楼主
MaLaTang|  楼主 | 2010-12-31 09:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
光耦, 施密特, IO, 电源, 隔离
工业环境，对IO量的采集，前端的整形、保护见过两种方法，一是用光耦，二是用施密特（74HC14等），但是很多用光耦的场合光耦两边都是共电源共地的，我觉得如果是这种非隔离电源的情况，还不如直接用施密特来做。
不知大家看法如何？

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沙发
mohanwei| | 2010-12-31 09:38 | 只看该作者
大不一样。你要是把电源线上的阻抗，分布电容电感都加到原理图里，就知道有什么区别了

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板凳
MaLaTang|  楼主 | 2010-12-31 09:44 | 只看该作者
那是不是说光耦这种电流驱动的方式会好一点？
分布电感电容应该是对速度的影响吧？拉长上升沿下降沿？

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