实测一个光耦参数,与DATASHEET相差很大,为什么呢<br /><br />图1是光耦参数测试电路,图2是实际电路。VCC是+5V,VCC1是有+24V电源经过7805得到的+5V,24VGND是+24V地。<br /><br />1) 在图一中,测试光耦参数:<br /><br />光耦选用4N35:<br /> R1 = 1K, If = 3.88mA, R2 = 1k, Io = 4.78mA. Vce = 0.22V, CTR = 1.23(饱和)<br /> R1 = 1K, If = 3.88mA, R2 = 330, Io = 9.82mA. Vce = 1.76V, CTR = 2.53<br /> R1 = 1K, If = 3.88mA, R2 = 51, Io = 12.25mA. Vce = 4.38V, CTR = 3.15<br /> 与DATASHEET中的IC VS Vce 参数相差很大?。图中CTR大概为1(图中没有IF=3.88mA的曲线,但其应该在5mA曲线下边。在VCE<5V时,CTR也就1点几吧)<br />(如果选用6N135光耦,测得的CTR与其手册差不多,为0.3左右) <br /> <br />2) 另外 IC VS Vce 与CTR VS TEMP 两图不相符?<br /><br />3) 对于图2中的实际电路,有几处疑问<br /> <br /> a: 电路中为什么要多用一个VCC1的电源?直接接+24V不行吗<br /> b: 电阻R3在电路中起什么作用?是不是接在B处更好?<br />  |
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