实测一个光耦参数,与DATASHEET相差很大,为什么呢

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 楼主| niuniu1983 发表于 2008-5-12 09:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
实测一个光耦参数,与DATASHEET相差很大,为什么呢<br /><br />图1是光耦参数测试电路,图2是实际电路。VCC是+5V,VCC1是有+24V电源经过7805得到的+5V,24VGND是+24V地。<br /><br />1)&nbsp;在图一中,测试光耦参数:<br /><br />光耦选用4N35:<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;R1&nbsp;=&nbsp;1K,&nbsp;If&nbsp;=&nbsp;3.88mA,&nbsp;R2&nbsp;=&nbsp;1k,&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Io&nbsp;=&nbsp;4.78mA.&nbsp;&nbsp;&nbsp;Vce&nbsp;=&nbsp;0.22V,&nbsp;CTR&nbsp;=&nbsp;1.23(饱和)<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;R1&nbsp;=&nbsp;1K,&nbsp;If&nbsp;=&nbsp;3.88mA,&nbsp;R2&nbsp;=&nbsp;330,&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Io&nbsp;=&nbsp;9.82mA.&nbsp;&nbsp;&nbsp;Vce&nbsp;=&nbsp;1.76V,&nbsp;CTR&nbsp;=&nbsp;2.53<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;R1&nbsp;=&nbsp;1K,&nbsp;If&nbsp;=&nbsp;3.88mA,&nbsp;R2&nbsp;=&nbsp;51,&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Io&nbsp;=&nbsp;12.25mA.&nbsp;&nbsp;Vce&nbsp;=&nbsp;4.38V,&nbsp;CTR&nbsp;=&nbsp;3.15<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;与DATASHEET中的IC&nbsp;VS&nbsp;Vce&nbsp;参数相差很大?。图中CTR大概为1(图中没有IF=3.88mA的曲线,但其应该在5mA曲线下边。在VCE&lt5V时,CTR也就1点几吧)<br />(如果选用6N135光耦,测得的CTR与其手册差不多,为0.3左右)&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />2)&nbsp;另外&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;IC&nbsp;VS&nbsp;Vce&nbsp;与CTR&nbsp;VS&nbsp;TEMP&nbsp;两图不相符?<br /><br />3)&nbsp;对于图2中的实际电路,有几处疑问<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;a:&nbsp;电路中为什么要多用一个VCC1的电源?直接接+24V不行吗<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;b:&nbsp;电阻R3在电路中起什么作用?是不是接在B处更好?<br />&nbsp;
 楼主| niuniu1983 发表于 2008-5-12 09:51 | 显示全部楼层
 楼主| niuniu1983 发表于 2008-5-12 09:54 | 显示全部楼层
zhaoyu2005 发表于 2008-5-12 11:00 | 显示全部楼层

你的条件一定和测试条件不一样

首先:你的器件不是线性光耦,不同的If电流对应的CRT当然不同<br />其次:小If对应的CRT大<br />再者:不同的Vce对应的三极管放大倍数也是不同的,所以CRT也是不同的
 楼主| niuniu1983 发表于 2008-5-12 11:32 | 显示全部楼层

回楼上

根据IC&nbsp;VS&nbsp;Vce图,IF=3.88mA时,CTR不会大到2.53,3.15<br /><br />对于不同的VCE,只要不是处于饱和状态,CTR应该不会相差太多吧、<br />
 楼主| niuniu1983 发表于 2008-5-12 11:45 | 显示全部楼层

试验在室温做的,图中曲线的温度也是25摄氏度

  
chunyang 发表于 2008-5-12 12:31 | 显示全部楼层

测试条件必须相同才好比较

&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;主要检测离散性,如果离散性不大可认为是合格的。4N系列的生产厂很多,不同厂家的产品参数有出入也正常,但离散性不能大。另外,4N系列在市场上存在大量翻新货,这类货往往存在隐患,主要表现就是离散性过大,不得不防。
 楼主| niuniu1983 发表于 2008-5-12 19:01 | 显示全部楼层

离散性还可以,测试了几个,差不太多。

另外,还测试了PC817光耦,传输比和4N35差不多,而DATASHEET上的曲线几乎和前边的图相同。<br /><br />
赤铸 发表于 2008-5-12 22:14 | 显示全部楼层

re

1.&nbsp;实测与&nbsp;Datasheets&nbsp;并无矛盾,&nbsp;楼主理解有偏差&nbsp;(或说过于理想化).&nbsp;<br /><br />Datasheets&nbsp;一般都既有表格又有图.&nbsp;如果要追究严格数据,&nbsp;应以表格为准,&nbsp;图不准再正常不过&nbsp;(&nbsp;谁敢从图上量个数据拿去做严格的设计依据?&nbsp;).&nbsp;曲线的主要作用是反映相对的趋势.<br /><br />光耦的&nbsp;CTR&nbsp;本身就是个离散性非常大的参数,&nbsp;同一型号的&nbsp;CTR&nbsp;相差&nbsp;10&nbsp;倍也正常!&nbsp;所以某些型号会根据&nbsp;CTR&nbsp;划分很多档.&nbsp;4N35&nbsp;没有分档,&nbsp;但相差几倍算不了什么.<br /><br />2.&nbsp;两图不矛盾.&nbsp;楼主没仔细看,&nbsp;第二个是&quot;归一化&quot;曲线<br />
赤铸 发表于 2008-5-12 22:24 | 显示全部楼层

re 3

a:&nbsp;电路中为什么要多用一个VCC1的电源?直接接+24V不行吗<br /><br />反正电路中有&nbsp;VCC1,&nbsp;干吗不用.&nbsp;4N35&nbsp;的&nbsp;VCE&nbsp;大概能到&nbsp;30V,&nbsp;按理接&nbsp;24V&nbsp;也没问题.&nbsp;但让我设计还是宁愿用低些的电压:<br />(1)&nbsp;24V&nbsp;已经比较接近&nbsp;30V&nbsp;了,&nbsp;不符合降额使用的习惯&nbsp;(&nbsp;有一定心理因素&nbsp;)<br />(2)&nbsp;24V&nbsp;下暗电流会比较大<br />(3)&nbsp;24V&nbsp;下电阻和光耦&nbsp;(&nbsp;切换瞬间过程中&nbsp;)&nbsp;功耗较大<br /><br />b:&nbsp;电阻R3在电路中起什么作用?是不是接在B处更好?<br />&nbsp;<br />理论上接在B处也可以.&nbsp;我倾向于接图中位置,&nbsp;更安全,&nbsp;或者说更合算,&nbsp;楼主仔细算算暗电流影响就会明白.<br />
liudewei 发表于 2008-5-13 18:34 | 显示全部楼层

不在饱和区完全可以用24V代替5V

如果为了模拟信号的传输,当CTR为1时,5V确实要稍好于24V,但是这种单光耦未补偿的电路在宽温范围偏差就不止一点了。<br />另外1图是一定温度下,VCE对IC的影响,分成几种IF情况下,强调VCE的影响。<br />2图是一定IF,VCE条件下,温度对CTR的影响,强调温度的影响。<br />
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