D类功放 MOSFET导通压降

发表于 2011-9-28 14:08

一般来说MOSFET的导通压降为3到4V，有没有导通压降高一点的MOSFET？

在做一个D类功放，两个N、P沟道的MOSFET组成一个反相器。
mhtml:file://E:\215\2011年度大学生创新训练计划\项目制作\超声波电源\D类功放\基本D类放大器设计与分析
是不是输入的电压和接下面N沟道MOSFET的负电压差值最大不能超过导通压降呐？

发表于 2011-9-28 14:09

没图。。。

发表于 2011-9-28 21:15

一般来说MOSFET的导通压降为3到4V，有没有导通压降高一点的MOSFET？
***********************
晕!
MOSFET的导通压降没有这么高。
还真没见过要求导通压降高一点的这种变态要求的。
你是要Vgs(on)高点的管子吧？
不要把这两个概念搞乱了。

发表于 2011-9-28 21:32

3# lyjian

IRF740的导通压降可以20V耶。

发表于 2011-9-28 21:39

3# lyjian

哦，是啊，应该说Vgs高一点的管子。。。

发表于 2011-9-28 21:46

Vgs和Vgs(on)也是不同的参数
MOS管的Vgs最高也就+/-30V
而Vgs(on) 3~4V已经属于高的了

发表于 2011-9-28 21:56

6# lyjian
嗯，谢啦。

D类功放 MOSFET导通压降

相关帖子

浏览过的版块

技术领袖奖章

核心会员奖章

坚毅之洋流

十世金身