场效应管和二极管内阻问题请教

发表于 2020-10-23 09:49

最近在自学模电，从书上看到当场效应管的Vgs=0时，随着|Vds|的增加，沟道变窄，沟道内阻增大。我想问一下，为什么内阻会增大呢，沟道里不是有非常多的自由电子可以导电吗？如果Vds=0时，gs之间的电阻大概多大？为什么二极管的正向电阻又很小？

发表于 2020-10-23 10:35

gs之间的电阻往往很大, 可以按具体器件的手册.

发表于 2020-10-23 10:55

VGS=0一般是OFF状态，沟道电阻总是无穷大，无所谓变大变小。。。

发表于 2020-10-23 13:00

你说的是结型场效应管吗，现在不常用。
NMOS一般0V是不导通的。

发表于 2020-10-23 13:57

本帖最后由 kedangxing123 于 2020-10-23 13:59 编辑

airwill 发表于 2020-10-23 10:35
gs之间的电阻往往很大, 可以按具体器件的手册.

谢谢解答，我是不明白，为啥栅源电压为0时，漏源电阻大概是多少？我的理解不应该是很小吗？类似二极管加正向电压电阻很小一样？

发表于 2020-10-23 13:58

戈卫东发表于 2020-10-23 10:55
VGS=0一般是OFF状态，沟道电阻总是无穷大，无所谓变大变小。。。

忘了写是结型场效应管，看输出曲线当Vgs=0的时候，ds之间是有电流的

发表于 2020-10-25 11:00

我看你这大概是描述的结型耗尽型的场效应管吧, 一般只用在小信号里. 往往出现在集成电路里, 具体的器件不多见

发表于 2020-10-29 00:40

导线变细，电阻变大。