过流保护设计

发表于 2021-2-1 18:54

基于3μm高压BCD 工艺，我们在Cadence 设计环境中利用电路模拟器Spectre 对该控制电路进行了分模块和整体模块的仿真，结果表明该电路可以较好地实现实时过流保护功能。

发表于 2021-2-1 19:01

二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态，进而控制功率LDMOS 管的开关是一种可行的安全设计方法。

发表于 2021-2-1 19:02

由于硅片存在热惰性，故不能做到即时控制。

发表于 2021-2-1 19:08

这种方法在IGBT的过流保护中很常见，比如80～90年代的厚膜电路EXB840。

发表于 2021-2-1 19:10

带有关断斜率控制，防止保护动作时电流变化太快产生高压击穿管子。

发表于 2021-3-1 22:19

没明白楼主的意图

发表于 2021-3-1 22:19

如何能确认可以实时过流保护呢

发表于 2021-3-1 22:21

跟工艺的关系大不大啊

发表于 2021-3-1 22:23

过流保护需要确定的参数是什么呢

发表于 2021-3-1 22:26

如何得到的这个结论啊

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