负高压开关控制电路

发表于 2021-5-26 14:45

请问各位大佬，想用MCU的IO控制负高压（比如-160V左右）的开关，想用MOS管来控制，但发现目前MOS管的Vgs的范围都在±40以内，有别的方法实现吗？

发表于 2021-5-26 15:09

加三极管作电平转换呀

发表于 2021-5-26 19:21

光耦
继电器
io驱动变压器初级

发表于 2021-5-26 20:00

被控制的电源电压高低与Vgs的耐压高低是两回事

发表于 2021-5-26 20:01

想想，三极管的BE极电压是固定0.7V左右，它是怎么控制几十V几百V电压的

发表于 2021-5-28 19:38

叶春勇发表于 2021-5-26 19:21
光耦
继电器
io驱动变压器初级

光耦考虑过，但是这种高压光耦三极管寄生电容应该不小，我的速度要求在10us以内的

发表于 2021-5-28 19:40

lfc315 发表于 2021-5-26 20:00
被控制的电源电压高低与Vgs的耐压高低是两回事

MOS管开关控制的话，我这里-180v电压，Vg不也得是负的么

发表于 2021-5-28 19:51

swiss 发表于 2021-5-28 19:38
光耦考虑过，但是这种高压光耦三极管寄生电容应该不小，我的速度要求在10us以内的 ...

开关管用nmos，s接-180v，d接负载，负载另一端接地。
相当于把地理解成正180，-180理解成0电位。光耦10us没问题的，光耦后面，加电路，去推图腾柱

登录 · 发表于 2021-5-30 12:28

叶春勇发表于 2021-5-28 19:51
开关管用nmos，s接-180v，d接负载，负载另一端接地。
相当于把地理解成正180，-180理解成0电位。光耦10us ...

E:\2.PNG
谢谢。你说的是下图这样控制的吗？如果是，HVIN是-180V，VT2至少得-140V（Vgs一般是±20V~±40V）。那么V2又需要提供个负高压。感觉比较麻烦。
你说上面说的通过驱动变压器初级的方案，如果初级给个-18V，匝数选1：10，次级得到-180V，不知道此时线圈中电感阻碍对速度影响有多大。

登录 · 发表于 2021-5-30 13:07

swiss 发表于 2021-5-30 12:28
谢谢。你说的是下图这样控制的吗？如果是，HVIN是-180V，VT2至少得-140V（Vgs一般是±20V~±40V）。那么V ...

这个是示意图，-148用7912加技巧产生（网络上有）。光耦方案，网络上资料较少，如果是做低速开关用途。
你这里是10us，如果是pwm驱动，毫无疑问，用驱动变压器，电路图参考，双管正激驱动变压器的思路。

发表于 2021-5-30 13:58

叶春勇发表于 2021-5-30 13:07
这个是示意图，-148用7912加技巧产生（网络上有）。光耦方案，网络上资料较少，如果是做低速开关用途。
你 ...

了解，-148可以通过7912倍压得到。那同时得选择高压光耦，高压是不是看Vdrm这个参数就可以（类似Vceo）？
双管正激驱动变压器我先找来研究一下，非常感谢！

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