关于mosfet击穿

登录 · 发表于 2023-3-30 22:10

使用的2ED020I12FA驱动一个单相逆变H桥的4个mosfet管，运行一小会儿后会有一路桥臂击穿。通过示波器发现，虽然预留了死区，但上下管导通时另一个管会有很大的尖峰。分析认为是尖峰过大令本来关闭的mosfet管导通，导致电路短路，击穿mosfet。请问各位大佬有没有办法能改正？
另外，R32、R33试着改成12R，波形没有改善。
2ED020I12FA
GS间电压值

发表于 2023-3-31 08:49

这图还能在清晰点不

发表于 2023-3-31 09:08

还能搞个更模糊的图上来？
想看都没法
另外 PCB 图IGBT 部分也发来看看
你的驱动电源波形看过？

发表于 2023-3-31 09:17

jjjyufan 发表于 2023-3-31 09:08
还能搞个更模糊的图上来？
想看都没法
另外 PCB 图IGBT 部分也发来看看

真不好意思，这图上传上去就这样，实在不好意思。

发表于 2023-3-31 10:34

击穿大部分是因为过压，小概率是因为电容影响。

登录 · 发表于 2023-3-31 14:18

本帖最后由 zlf1208 于 2023-3-31 15:50 编辑

原理图的MOS管使用了BJT的符号，管子的型号又看不清，假如三极管符号的基极是MOS管的栅极，那么上下二个管子的栅极直接连在一起，而楼主说加了死区控制，不知道这个死区是怎么实现的？
下面是2ED020I12FA规格书的截图，可知要加死区，上下桥臂的MOS管的栅极须单独驱动和控制。我的意思是楼主的电路根本无法实现死区控制。
驱动一个H桥，需要二片2ED020I12FA，这个芯片不能省。

发表于 2023-3-31 16:03

王栋春发表于 2023-3-31 09:17
真不好意思，这图上传上去就这样，实在不好意思。

装个福昕pdf阅读器，会生成一个虚拟打印机，在打印的时候，选择这个虚拟打印机就可以打印出pdf文档

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