gd32f103ret6快速上下12v电会导致部分flash置为0

发表于 2023-9-5 11:29

1、快速上下电，手动，插拔12v的DC头，就会有部分flash被擦写成0，具体原因没找到；
2、也是快速上下电后，我们有个雷达工具，找到我的板子，获取单板参数时，tcp连接三次握手后，上位机发送获取单板的包后，tcp直接关闭，检测发现也是flash一部分被擦为00000000，全部改为0xff，就可以正常

经常出现被擦写成0的区域为0x08041000-0x08041800之前。

快速插拔12v电源会导致我们gd32f103板子内部flash被修改吗，现在找不到问题，恳求大佬指点一下

发表于 2023-9-5 16:51

有没有人有相同的问题

发表于 2023-9-5 20:00

0x08041000-0x08041800这部分做什么用？拿来做EEPROM使用了吗？

登录 · 发表于 2023-9-6 09:16

没玩过32，盲猜一下：

1.FLASH操作时间问题，记得32的flash不是很快喔；

2.给3.3V上并联一个大的电解电容，延长其下电时间进一步验证。
3.FLASH的擦除是写成1，并不是擦成0。有0存在，要么没擦除成功，要么擦除后又写了。

发表于 2023-9-6 09:22

ssmm1228 发表于 2023-9-5 20:00
0x08041000-0x08041800这部分做什么用？拿来做EEPROM使用了吗？

没有，就41000和41100,41200都来保存数据，但是数据都很少，有些读写的操作，也只有3次写，一次读

发表于 2023-9-6 09:25

yueguang3048 发表于 2023-9-6 09:16
没玩过32，盲猜一下：

1.FLASH操作时间问题，记得32的flash不是很快喔；

是的，就是插拔时间很快出现的问题，也试过增大电容，也还是有问题，总是有一部分异常；
这个问题就是会把一部分flash写成0，这个没搞明白到底为啥

发表于 2023-9-6 17:11

sss11a 发表于 2023-9-6 09:25
是的，就是插拔时间很快出现的问题，也试过增大电容，也还是有问题，总是有一部分异常；
这个问题就是会 ...

单独写一段读写FLASH的裸机程序，干掉别的业务，进行测试上下电。

gd32f103ret6快速上下12v电会导致部分flash置为0

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