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[应用相关] NMOS用单片机IO驱动问题

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LLGTR 发表于 2025-9-7 12:35 | 显示全部楼层
单片机输出电压要超过N沟道MOSFET的开启电压，才能确保MOSFET导通。
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星闪动力 发表于 2025-9-8 14:01 | 显示全部楼层
需调整单片机输出逻辑或Mos管设计，确保两者电平兼容。
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zephyr9 发表于 2025-9-12 13:11 | 显示全部楼层
确保MCU和IO端口能承受电机驱动，选择合适的Nmos晶体管，合理设计驱动电路，以保证电机稳定运行。
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明日视界 发表于 2025-10-1 07:33 | 显示全部楼层
单片机输出电平要与MOS管兼容，若不匹配，需使用电平转换电路。
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PreWorld 发表于 2025-10-1 13:53 | 显示全部楼层
要让N沟道MOSFET导通，MCU的IO输出电压需超过其阈值电压。
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MintMilk 发表于 2025-10-4 15:25 | 显示全部楼层
单片机IO口能力不足时，可利用N-MOSFET等功率放大器驱动大电流，确保电机等负载正常工作。
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朝生 发表于 2025-10-5 11:37 | 显示全部楼层
当单片机IO输出低电平，N沟道MOS管会完全关闭，断开电路。
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IntelCore 发表于 2025-10-6 17:07 | 显示全部楼层
有的，但需要选择适合的GPIO电压和电流规格的MOS管。
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芯路例程 发表于 2025-10-7 10:37 | 显示全部楼层
为了更高效地驱动MOS管，确实需要添加一个前级驱动器来增强电流和电压，确保MOS管能正常工作。
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Pretext 发表于 2025-10-9 09:53 | 显示全部楼层
外围电路复杂容易出故障，所以尽量设计简单，减少问题。
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LinkMe 发表于 2025-10-10 19:44 | 显示全部楼层
电平不匹配，检查连接或调整IO输出电平。
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物联万物互联 发表于 2025-10-13 14:44 | 显示全部楼层
稳压二极管限Vgs，RC滤波稳定PWM，确保电机安全稳定工作。
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流星flash 发表于 2025-10-14 07:49 | 显示全部楼层
给MOSFET添加预驱动是为了提高开关速度，确保更稳定的电流控制。
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V853 发表于 2025-10-16 13:06 | 显示全部楼层
如果单片机输出信号不够快，可能会影响nmos管正常工作，可以考虑优化代码或选择更快的IO口。
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dreamCar 发表于 2025-10-16 13:34 | 显示全部楼层
为了让Nmos管导通，MCU的IO输出电压要超过其阈值电压。
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digit0 发表于 2025-10-19 10:31 | 显示全部楼层
确实，器件参数很重要，隔离和驱动能保护单片机不被烧毁。
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nowboy 发表于 2025-10-20 14:35 | 显示全部楼层
电压低使nmos管无法导通，像电门没打开，电流无法流动。
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线稿xg 发表于 2025-10-21 23:08 | 显示全部楼层
栅压不够，N沟道MOS管不导电，检查电源或电阻设置。
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AIsignel 发表于 2025-10-24 22:53 | 显示全部楼层
当单片机IO口输出低电平，N沟道MOSFET会完全关闭，确保电流不流过。
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鹿鼎计 发表于 2025-11-4 07:37 | 显示全部楼层
增加前级驱动器有助于提高MOSFET的驱动能力，确保电流和电压需求得到满足。
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