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[STM32G0] STM32G0的FLASH频繁擦写情况下实际寿命到底靠不靠谱？

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 楼主| 帛灿灿 发表于 2025-4-20 07:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
ST, STM, STM32, flash, stm32g0
频繁擦写情况下，实际寿命是不是比官方说的短很多？
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Clyde011 发表于 2025-4-20 07:54 | 显示全部楼层
频繁存配置参数建议做双备份区。
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Uriah 发表于 2025-4-20 07:55 | 显示全部楼层
我觉得内部Flash真不适合日志类数据。
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Pulitzer 发表于 2025-4-20 07:55 | 显示全部楼层
是不是考虑外接SPI NOR Flash？
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Bblythe 发表于 2025-4-20 07:56 | 显示全部楼层
文件系统别用FAT，太伤Flash了。
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Wordsworth 发表于 2025-4-20 07:57 | 显示全部楼层
看你是不是单地址来回写。
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公羊子丹 发表于 2025-4-20 07:58 | 显示全部楼层
数据频繁写，得考虑加上磨损均衡。
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周半梅 发表于 2025-4-20 07:59 | 显示全部楼层
EEPROM模拟用得当的话能延长寿命。
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 楼主| 帛灿灿 发表于 2025-4-20 08:00 | 显示全部楼层
ST的数据手册写的是1万次，你信吗？
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童雨竹 发表于 2025-4-20 08:01 | 显示全部楼层
我实际测到5000多次开始不稳。
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万图 发表于 2025-4-20 08:02 | 显示全部楼层
写入失败是块区域反复操作太多了。
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