MOS完全开启的电压看哪个参数？

发表于 2025-4-21 20:46

MOS完全开启的电压看哪个参数？
想用单片机控制NMOS开关电路，不知道这个元件的完全开启电压看哪个参数，如何选型。
比如单片机是3.3V，能否完全开启，是否需要辅助电路呢？

发表于 2025-4-22 17:39

这个是类似三极管的，门限开启电压就是开启，低于这个，就没电流。看那个技术曲线。

发表于 2025-4-24 09:16

MOS管完全开启的电压通常看Vgs(th)这个参数，即门极阈值电压。

发表于 2025-4-24 14:28

能否完全开启，是否需要辅助电路呢？

发表于 2025-6-23 18:31

肯定看这个栅源阈值电压（VGS (th)）
定义：使 MOSFET 开始导通的最小栅源电压（通常为 ID=250μA 时的 VGS）。
参考意义：VGS 必须高于 VGS (th) 才能形成导电沟道，但此时 MOSFET 并未完全开启（RDS (on) 较大）。
典型值：
低压 MOSFET（如逻辑电平 MOS）：VGS (th)≈1.5~2.5V。
标准 MOSFET：VGS (th)≈2~4V。
注意：VGS (th) 仅为开启门槛，仅仅是工作再饱和区，实际完全导通需更高电压，才能工作再可变电阻区

发表于 2025-9-19 17:53

MOS 管完全开启的电压主要看VGS (th)（栅源阈值电压），但需注意这是 “开始导通” 的最小电压，并非 “完全开启”。完全开启需参考VGS (on)（导通时的栅源电压），该参数会标注对应 ID（漏极电流）下的 VGS 值，比如 ID=10A 时 VGS (on)=4.5V，此时 MOS 管导通电阻 RDS (on) 最小，可认为完全开启，选型时需确保驱动电压能覆盖 VGS (on)。

发表于 2025-9-22 16:43

MOS 完全开启的电压主要看栅源电压 VGS。当 VGS 超过 MOS 管的阈值电压 VGS (th) 时，管子开始导通，随着 VGS 继续增大，漏极电流 ID 逐渐增大，当 ID 达到最大值时，MOS 管完全开启。一般来说，N 沟道 MOS 管的 VGS 通常需达到 10V 左右才能完全导通，P 沟道 MOS 管则需 VGS 达到 - 10V 左右。

[模拟产品/SiC] MOS完全开启的电压看哪个参数？

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