意法半导体 STGAP4BH 混合栅极驱动器在 IGBT 与 SiC MOSFET 混合并联中的核心适配优势

发表于 2025-9-12 09:22

意法半导体 STGAP4BH 混合栅极驱动器在 IGBT 与 SiC MOSFET 混合并联中的核心适配优势是什么？

发表于 2025-9-26 07:23

STGAP4BH最大的优势就是能同时兼顾IGBT和SiC MOSFET不同的驱动需求。

发表于 2025-9-26 07:24

它的双通道独立参数配置，让并联时可以分别优化开关速度和栅极电压。

发表于 2025-9-26 07:25

IGBT通常需要负压关断，而SiC MOSFET更敏感，STGAP4BH支持的双电源轨很适配。

发表于 2025-9-26 07:25

该驱动器还带有软关断功能，可以减少并联器件在故障情况下的应力差异。

发表于 2025-9-26 07:27

对于IGBT慢、SiC快的开关特性差别，可以通过独立栅极电阻调节来平衡动态电流分担。

发表于 2025-9-26 07:28

它的高共模抗扰度（CMTI）设计在SiC高速开关场景里尤其重要。

发表于 2025-9-26 07:29

ST官方给出的典型应用就是混合并联模块，用来降低整体损耗同时保持可靠性。

发表于 2025-9-26 07:30

STGAP4BH还内置保护（欠压锁定、隔离），减少了外围电路复杂度。

发表于 2025-9-26 07:31

在系统层面，用它能让IGBT负责大电流区，SiC负责高频部分，达到成本与效率平衡。

发表于 2025-9-26 07:32

简单说，它就是个专门为异构功率器件并联设计的驱动器，把两者的优点结合起来。

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