如何选择电阻值才能使MOSFET分别工作在开关和放大状态？

发表于 2007-8-21 13:57

如下图，Input为频率1KHz，幅值5V的正弦信号，MOSFET为一理想N沟道增强型， 电源12V， 请问，如何选择电阻R的值，才能使MOSFET分别工作在开关状态和放大状态？而区分这两种状态的标准是什么？ 多谢。

发表于 2007-8-21 14:05

若你的N-MOS是理想器件，那么D极电阻取值无限制。小到你的电源无法满足电流，大到寄生电容开始影响波形。

发表于 2007-8-21 16:09

关键是我想知道判断MOS管工作在开关状态和放大状态的条件是什么。 这是我要问的问题的关键，多谢。

发表于 2007-8-21 16:49

MOSFET源极漏极之间电压不能接近于零也不能接近电源电压，是在这二者之间。 如果MOSFET源漏之间电压不是接近于零就是接近于电源电压，在这二者之间的时间非常短，那么它就是工作在开关状态。

发表于 2007-8-22 07:50

那在上面这个电路中，我任意取R的值都能使MOSFET工作在开关状态吗？ 那么如何确定R值才能使MOSFET工作在开关状态呢？ 多谢。

发表于 2007-8-22 08:20

漏极负载电阻并非唯一的决定因素。 是否工作在开关状态，更与门极驱动信号大小有关。

发表于 2007-8-22 08:22

发表于 2007-8-22 08:30

为了使上图MOSFET工作在开关状态， 输入信号的幅值及R应该如何确定？ 假如Vgs(th)=3V.

发表于 2007-8-22 09:07

与NPN三极管相似， 先计算D极临界饱和电流Ids=12/R(饱和时Vds近似为0）， 然后根据转移电导g,算出临界饱和时的Vgs,即Vgss=Ids/g， 那么只要输入信号的幅值Vgs&gtVgss， 该MOSFET理论上就应该工作在开关状态。 只是g是一个变量不好确定，也只能大致估算。

发表于 2007-8-22 10:41

哪位大侠对俺的算法给个评论好吗， 是对还是错，给个说法。多谢。

发表于 2007-8-22 10:54

实际上，只要输入幅度足够大即可。

理想器件?