测试EFT时可控硅误触发

登录 · 发表于 2013-5-3 11:38

本帖最后由 freedomwzy 于 2013-5-3 14:29 编辑

各位高手，小弟最近负责的一个项目，是用单片机控制可控硅导通的，负载是电机，180W左右。
电机是正转工几秒，停几秒，反转几秒，再停几秒，这样重复运行的。
现在遇到的问题是：在正常情况下运行是没问题的，但是在测试EFT4KV时，电机先是堵转，接着两个可控硅都被击穿了。
我觉得可能是一路可控硅被误触发，导致正反转两路同时导通，把可控硅击穿。
从网上找了几种可控硅误触发的原因：
1.电压上升率dv/dt过高，在MT1和MT2间接RC吸收电路，R为100ohm，C为473，但是还是会被击穿；
2.电子噪声超过Vgt，造成的误触发

不知道该如何分析是什么情况造成的击穿，有何对策呢？

freedomwzy · 发表于 2013-5-4 00:41

是误触发而非电压上升斜率过高所致，而在楼主电路中，晶体管的瞬态导通引发的误触发比直接触发可控硅的可能性更大，要在晶体管基极回路里加吸收电路。

发表于 2013-5-6 11:13

非常感谢chunyang的指导，我在三级管的基极和地间接了一个101的电容，在测试是不会出现可控硅被击穿的现象，看来是有晶体管瞬态导通造成的可控硅误触发；
还想请教一个问题，可控硅T1和T2两端的RC吸收电阻的参数该如何选择呢？能否举个例子呢？

发表于 2013-9-25 14:24

可控硅应用与技术讨论群：315490218

发表于 2014-5-10 11:12

要在晶体管基极回路里加吸收电路。~mark下

测试EFT时可控硅误触发

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