小功率MOS管发热的问题

发表于 2013-9-10 12:27

MOS管的型号SI1563DH，作为电源控制开关用，之前的批次均没问题，最近在产品走订单的时候这一批次的管子发热很厉害，上电一会儿有的就烫手。怀疑是管子的品质问题，我就自己测试了一下NMOS，GS电压4.5V，漏极电压10V，然后改变负载，测量导通电阻和datasheet对照，这样可以么，第一次碰到，求指导

发表于 2013-9-10 14:17

自己顶一下

发表于 2013-9-13 16:42

测量导通电阻是可行的, 只是只有 0.x 欧姆, 电路电流不大的话, 不知道的能不能测准.

发表于 2013-9-13 23:53

通电测试导通电压，和datasheet对照。

发表于 2013-9-16 18:32

airwill 发表于 2013-9-13 16:42
测量导通电阻是可行的, 只是只有 0.x 欧姆, 电路电流不大的话, 不知道的能不能测准. ...

实际测试了一下，确实不好测，电流大的时候发热，导通电阻是正温度系数，导致测试数据失真，不太好判断，直接找了颗替代芯片解决的

发表于 2013-9-16 18:33

opal11 发表于 2013-9-13 23:53
通电测试导通电压，和datasheet对照。

理论上是可行的的，实际操作有点难度

发表于 2013-9-17 17:03

住nmos管漏极做输出驱动时需要自举电路，否则就会出现严重发热的现象。

发表于 2013-9-17 17:10

851628528 发表于 2013-9-17 17:03
住nmos管漏极做输出驱动时需要自举电路，否则就会出现严重发热的现象。

不太明白，愿闻其详

发表于 2013-9-18 12:42

发表于 2013-9-23 09:15

yu080301021 发表于 2013-9-17 17:10
不太明白，愿闻其详

nmos,Vgs>Vth(几伏到几十伏不等)，如果此时你的接法是这样：D极接电源vcc，s极接负载到地，此时就算g极接到vcc，Vgs也达不到Vth（几伏到几十伏不等）的要求，这是为什么呢？因为mos管的导通电阻只有毫欧级别，要让Vds有1v到10几v的压降那得多大的电流啊。所以想让nmos处于饱和导通状态，必须加在g极的电压要高于电源电压几伏到几十伏不等，这就是nmos驱动时必须加自举电路的原因。一个处于非饱和状态的mos管，Rds将是相当可观的，就算有10欧姆，流过3a的电流，自身功耗就会有30w，能不烫吗，能不烧吗。这是我对mos管的理解。

发表于 2013-9-23 13:03

851628528 发表于 2013-9-23 09:15
nmos,Vgs>Vth(几伏到几十伏不等)，如果此时你的接法是这样：D极接电源vcc，s极接负载到地，此时就算g极接 ...

学习了谢谢

小功率MOS管发热的问题

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