DDR2/3都有On-Die Termination，把DQ信号端接到VDDQ/2，其实现方式是通过两个阻值为2RTT的电阻分别端接到VDDQ和VSSQ。
我有个疑问，上面的端接方式其实等效于通过阻值为RTT的电阻直接端接到VDDQ/2，为什么没有直接这样做？上面那种方式的缺点很明显，只要ODT打开，就会有从VDDQ到VSSQ的直流通路，消耗太多的静态功耗。
DDR4对此的解决方案是叫Pseudo-open drain（POD）端接，只用一个电阻端接到VDDQ，这样就不会有直流电流了。
问题是，为什么不直接用一个电阻端接到VDDQ/2？增加一路电源输入开销很大吗？ |
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