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3.3V单片机驱动12V电磁阀电路

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maychang| | 2018-8-13 19:14 | 只看该作者
不合理。用料太多。

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电子小龙|  楼主 | 2018-8-13 21:09 | 只看该作者
maychang 发表于 2018-8-13 19:14
不合理。用料太多。

您好,麻烦建议下,哪些可以去掉,我知道R125和R126可以去掉,还有哪些可以精简?

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戈卫东| | 2018-8-13 21:49 | 只看该作者
似乎用一个2.5V低压动作MOS管加一个续流就够了

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xiaxingxing| | 2018-8-13 21:54 | 只看该作者
用一个三极管就可以吧 ???

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电子小龙|  楼主 | 2018-8-13 22:10 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2018-8-13 21:49
似乎用一个2.5V低压动作MOS管加一个续流就够了

电磁阀电流1.5A左右,2.5V能否可靠导通?能否给个IC名?

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7
电子小龙|  楼主 | 2018-8-13 22:13 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2018-8-13 21:54
用一个三极管就可以吧 ???

电磁阀电流比较大,大概1.5A左右,IO口直驱电流会不会太大?

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8
戈卫东| | 2018-8-13 23:16 | 只看该作者
SI2302, 20V 2A,VGS=2.5V时大约100毫欧,大概可以用。
现在这种小体积MOS管有很多,也便宜

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9
airwill| | 2018-8-14 06:51 | 只看该作者
MOSFET 是电压驱动, 开关变化的时候才有驱动电流. IO 口输出几个mA 肯定没有问题嘛, 也不用 100K 这么大电阻

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lihui567| | 2018-8-14 12:13 | 只看该作者
直接用一个低压mos管就可以驱动,保证3.3v电压能让mos管导通就行

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xmar| | 2018-8-14 14:14 | 只看该作者
还要注意: 三个共射电路级联很容易自激振荡。

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电子小龙|  楼主 | 2018-8-14 16:37 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2018-8-13 23:16
SI2302, 20V 2A,VGS=2.5V时大约100毫欧,大概可以用。
现在这种小体积MOS管有很多,也便宜 ...

谢些啦!!,如果我的电磁阀电压是24V,还是否适合直接用3.3V单片机IO驱动?

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13
电子小龙|  楼主 | 2018-8-14 16:38 | 只看该作者
xmar 发表于 2018-8-14 14:14
还要注意: 三个共射电路级联很容易自激振荡。

嗯,放大倍数大了吧?

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14
tianxj01| | 2018-8-14 18:10 | 只看该作者
一个SI2304,耐压30V,最大电流3.2A  栅极开启电压2.6V,3.3V栅极电压导通电阻大概100mΩ。
2A电磁阀,管子功耗也就0.4W  完全在安全范围,当然,合适的漏极散热铜皮是设计时候需要注意的。
12V或者24V电磁阀驱动都不是问题,直接连接单片机输出到栅极就可以了。
Vgs=10V时候,才55mΩ,也可以考虑栅极上拉1K级别的电阻到12V,栅极并联一个NPN来进行倒相驱动,单片机高电平,电磁阀截止。这样板子面积可以缩小。管子直接不需要散热铜皮。

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xiaxingxing| | 2018-8-14 20:29 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2018-8-13 23:16
SI2302, 20V 2A,VGS=2.5V时大约100毫欧,大概可以用。
现在这种小体积MOS管有很多,也便宜 ...

集电极电流和电压符合要求的三极管也可以吧?谢谢!

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king5555 + 1 可以!NPN的。线圈反并二极管。
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dog_xin| | 2018-8-15 07:35 | 只看该作者
MDJ122,就能解决

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xiedu| | 2018-8-15 14:20 | 只看该作者
用一个三极管加上电阻不就可以了嘛

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maychang| | 2018-8-15 15:47 | 只看该作者
电子小龙 发表于 2018-8-13 21:09
您好,麻烦建议下,哪些可以去掉,我知道R125和R126可以去掉,还有哪些可以精简? ...

你的电磁阀要求1.5A电流,你的3.3V单片机假定可以输出1mA电流,那么这个放大电路的电流放大倍数必须达到1500倍。要达到这个电流放大倍数,使用达林顿管即可,或者使用一支小功率三极管加上一支中功率三极管自己搭成达林顿。

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19
伏尔加的鱼| | 2018-8-15 17:37 | 只看该作者
做的太复杂了 弄简单点儿

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6688hyc| | 2018-8-16 08:30 | 只看该作者
1.R126  5.1K,这个太大了,分流太多。
2.R126换成1N4148续流二极管
3.器件太多了,成本!

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