一个可控硅触发电路的不稳定性

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1938|23
 楼主 | 2016-9-5 11:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 小研究 于 2016-9-5 14:44 编辑

如图,是一个可控硅的触发电路,使用了已经四五年了。这四五年中发生了大概有5次非常偶然的情况,就是设备长时间放置后(可能半个月,也有时候几个月)可控硅就莫名其妙的触发不了,捣鼓个几十分钟,可能就莫名其妙的又好了,好了之后就持续正常,除非再次长时间不带电放置。
简单说一下这个电路:
1   可控硅被触发后释放外面的大容量的电解电容,可控硅得阴极与本图中的光耦右侧的地是同一个地。
2   曾经将540拿掉过只用9540,电路可行,但由于情况的偶然性,不能形成对比、说明问题。
3   C3作为驱动可控硅门极的储能电容,电解电容。
4   起初曾经怀疑是外置的大容量电解电容因为长久放置而临时失效,但最近的一次偶然中用电桥测量发现该电解电容的容量并没有变化。因此可以排除是外置的大容量的电解电容的问题。同一次的测量中,光耦外部无输入时,光耦右侧(即MOS管的门极)电压为13V左右,有输入时基本拉到0,正常。

所以,我想问的是:
1  电解电容临时失效,一般是需要放置多久之后?
2  该电路中有没有其他隐患点存在?导致可能发生类似静电或电荷积累的现象存在?

谢谢。

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评论

wufeng_495 2019-2-11 08:20 回复TA
您的描述,应该是电解电容C1.C3性能不良。 
| 2016-9-5 13:36 | 显示全部楼层
mark,进来学习的。
| 2016-9-5 13:50 | 显示全部楼层
1k
 楼主 | 2016-9-5 14:46 | 显示全部楼层
| 2016-9-5 17:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 changle11sdo5 于 2016-9-6 09:45 编辑

   
| 2016-9-5 18:33 | 显示全部楼层
本帖最后由 changle11sdo5 于 2016-9-6 09:44 编辑

      
| 2016-9-5 18:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 changle11sdo5 于 2016-9-6 09:44 编辑

      
| 2016-9-5 19:00 | 显示全部楼层
本帖最后由 changle11sdo5 于 2016-9-6 09:44 编辑

      
| 2016-9-5 21:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 changle11sdo5 于 2016-9-6 09:45 编辑

   
| 2016-9-5 22:40 | 显示全部楼层
Q1极性图画错。Q2是罪魁祸首,SCR在导通之后若短路A丶K极,也可能使之off,尤其是小功率TO92包装甚至可以如此截止。
 楼主 | 2016-9-6 13:59 | 显示全部楼层

即便没有C4,MOS管的G极也是逐渐上升的,毕竟本质是连续的。
 楼主 | 2016-9-6 14:03 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2016-9-5 22:40
Q1极性图画错。Q2是罪魁祸首,SCR在导通之后若短路A丶K极,也可能使之off,尤其是小功率TO92包装甚至可以如 ...

没有画错吧。9540是P沟道的。
Q2的确可去掉,我已经提过了。但是您说的副影响,可控硅在导通后,AK两极之间电压近乎短路,所以会把Q2的DS极端电压降低,但此时Q2的G点电压仍然是低电平,所以Q2不可能此时导通吧。
 楼主 | 2016-9-6 14:11 | 显示全部楼层

15ma的IC的确大了,但尚未超过521的最大允许值。
而且有台设备用了1.5K的,仍然存在这个偶然现象。
| 2016-9-6 14:24 | 显示全部楼层

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 楼主 | 2016-9-9 13:56 | 显示全部楼层
各位大神,我并不是要问这个可控硅怎么驱动,事实上,这个电路不是我们设计的,而是一个配套厂家设计的,由于历史遗留问题,我们在替对方擦屁股。
我想知道的是,这个电路中有哪里会导致类似静电或者边界的偶然性?
谢谢。
| 2016-9-10 10:24 | 显示全部楼层
要不要帮你重新设计一个电路?
| 2016-9-10 18:59 | 显示全部楼层
可控硅受潮了吧?
 楼主 | 2016-9-11 15:56 | 显示全部楼层
charrijon 发表于 2016-9-10 10:24
要不要帮你重新设计一个电路?

多谢。
我已经设计了,我习惯于用脉冲变压器驱动可控硅。

评论

charrijon 2016-9-11 20:14 回复TA
我也是一直用脉冲变压器的 
 楼主 | 2016-9-11 15:57 | 显示全部楼层
宋业科 发表于 2016-9-10 18:59
可控硅受潮了吧?

倒是第一次听说这个解释,可控硅受潮一般有什么表现?具体说说呗。
| 2019-2-10 20:30 | 显示全部楼层
R2电阻阻值太大导致C3充电电压低(充电时间长,再加上长时间不用漏电流大),也就导致了可控硅的触发电压低,触发电流也不够。每只可控硅的触发电压是不一祥的,同样触发电流也不一样。这种电路要选触发电压低的可控硅。 另外这种电路设计没必要,直接光耦输出接可控硅阳极和触发就行了。前提是光耦耐压足够。
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