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采样电压

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楼主
赵松培|  楼主 | 2016-12-23 11:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
autooy| | 2016-12-23 17:11 | 只看该作者
第一:80S0的Vbe至少得0.6-0.7V吧。你100K与10K分压,Vb应该是3V吧。那它还往上走?你是不是不要导通NPN管了呀.
第二:你既然使用这样的不安全连接方式,你不如改为OP运放来实现,这样还能增大阻抗输入。
第三:如果你还是要这样的方式,那么,至少。为了你的单片机安全,你的Vdect得串一个1K的电阻安全一些;
第四:你可以将你的2.4K电阻改为1K或者稍微大点,可以在2.2V以下覆盖你的全电压范围也行.建议进ADC之前串联一个1K电阻后并104/103电容,防止烧了你的单片机.

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板凳
chunyang| | 2016-12-23 17:54 | 只看该作者
楼主电路为何要这么设计?什么目的?建议楼主先弄清“射随器”的特性。

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地板
赵松培|  楼主 | 2016-12-23 21:10 | 只看该作者
autooy 发表于 2016-12-23 17:11
第一:80S0的Vbe至少得0.6-0.7V吧。你100K与10K分压,Vb应该是3V吧。那它还往上走?你是不是不要导通NPN管 ...

明白了,非常感谢您

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皈依| | 2016-12-24 11:18 | 只看该作者
得弄明白三极管的特性

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