[电子元器件] 功率MOS管损坏原因分析

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 楼主 | 2018-1-5 20:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 冰封小肥牛 于 2018-1-7 20:07 编辑


这是控制电加热的电路图,J5接的是电池包正极(电压将近70V),V4是功率NMOS管;EH端连接到单片机I/O口,用来控制电路工作。
目前遇到的问题是当电池包放电的电流达到6A(中间连接负载仪)时就会损坏MOS管,如果把R67换成100K电阻就不会有这样的问题。有人能给我解释下这是什么原因吗?

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king5555 + 1 R67过大使得MOS管关不掉且処于导通的线性区此时负担大功率。
| 2018-1-6 12:33 | 显示全部楼层
因为Q7的集电极是恒流的,所以当R67的电阻大得到的电压高,而且您选的稳压管是18V,供电是15V,稳压管失效,V4GS之间的电压很高,当这电压高于V4的极限参数,就会烧管
| 2018-1-6 14:19 | 显示全部楼层
我不相信楼主的结论。
这个电路,NMOS如果没有限流恒流措施,直接给电池组放电,显然是不可靠的。
如果EH是高低电平的开关信号,这个电路必然会烧管子的,和R67大小没有必然的关系。
本来就不对的电路,问题不在R67上,讨论就没有意义了。
| 2018-1-6 15:02 | 显示全部楼层
MOS管和电池之间肯定还有负载把
| 2018-1-6 15:18 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2018-1-6 14:19
我不相信楼主的结论。
这个电路,NMOS如果没有限流恒流措施,直接给电池组放电,显然是不可靠的。
如果EH是 ...

单个管是可以不用负载的,因为DS之间有阻值,楼主说电流可以达到6A,是通过DS之间的阻值放电,但长期工作会对管的DS之间损耗,但不会立即达到烧管的效果,如果多个管就必须串负载,管才会有均流作用,温度互相补偿
| 2018-1-6 15:57 | 显示全部楼层
zhhsky 发表于 2018-1-6 15:18
单个管是可以不用负载的,因为DS之间有阻值,楼主说电流可以达到6A,是通过DS之间的阻值放电,但长期工作 ...

你这个说法不对,内阻小的MOS管放电电流很大,内阻大的功率不够的。
他这个电路,完全是开关电路,没有恒流和限流措施,必烧管子。
6A/70V,420W,啥管子可以不烧坏?
饭都烧熟了。
| 2018-1-6 17:59 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2018-1-6 15:57
你这个说法不对,内阻小的MOS管放电电流很大,内阻大的功率不够的。
他这个电路,完全是开关电路,没有恒 ...

您这个算法是不对的 主要看开关的时间切换,功率再乘以这个时间,才是这个管的实际功率,他不是长期输出,如果切换的时间是1ms那他实际功率是0 42W
| 2018-1-6 20:37 | 显示全部楼层
MOS管关断前GS间电容需通过R67放电,R67太大放电时间长导致MOS管关闭缓慢,开启时间长,功率大,发热大。加足够的散热片或减小R67。
| 2018-1-6 21:40 | 显示全部楼层
redleaves 发表于 2018-1-6 20:37
MOS管关断前GS间电容需通过R67放电,R67太大放电时间长导致MOS管关闭缓慢,开启时间长,功率大,发热大。加 ...

我认为是VGS的电压过高才会烧管,因为场管的VGS电压都有极限参数相对于IGSS漏电流测试的,VGS电压不可以过高的。

| 2018-1-6 23:28 | 显示全部楼层
没有说清楚驱动信号模式,猜测你是PWM控制,烧管是发生在关闭的时候,电阻太大,关闭太慢,过渡放大区时间过长,被自杀了,这么大的电流建议你用小电阻或者推挽驱动MOS
| 2018-1-7 11:11 | 显示全部楼层
同意楼上的说法,关断速度过慢导致。推测楼主应该PWM调制了,一次关断损耗就是0.42W,100HZ调制,损耗就是42W,这管子肯定扛不住了。关断时间至少小于300uS,过快也不好会有过压加到MOS上。,
 楼主 | 2018-1-7 20:04 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2018-1-6 14:19
我不相信楼主的结论。
这个电路,NMOS如果没有限流恒流措施,直接给电池组放电,显然是不可靠的。
如果EH是 ...

放电的时候加了一个负载仪调整电流大小的,调到6A放电就会损坏MOS管
 楼主 | 2018-1-7 20:06 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2018-1-6 15:57
你这个说法不对,内阻小的MOS管放电电流很大,内阻大的功率不够的。
他这个电路,完全是开关电路,没有恒 ...

中间串联负载仪了;抱歉帖子里没说清楚
 楼主 | 2018-1-7 20:10 | 显示全部楼层
lihui567 发表于 2018-1-6 15:02
MOS管和电池之间肯定还有负载把

是的,我疏漏了。加了个负载仪的
 楼主 | 2018-1-7 20:17 | 显示全部楼层
zhhsky 发表于 2018-1-6 12:33
因为Q7的集电极是恒流的,所以当R67的电阻大得到的电压高,而且您选的稳压管是18V,供电是15V,稳压管失效,V ...

按照你这说法,电路只要一个工作就会损坏MOS管,但是我这情况是只要负载仪的电流调整在6A以下就可以正常工作,只要电流到6A就会损坏MOS管(还能听到声音)
 楼主 | 2018-1-7 20:20 | 显示全部楼层
一事无成就是我 发表于 2018-1-6 23:28
没有说清楚驱动信号模式,猜测你是PWM控制,烧管是发生在关闭的时候,电阻太大,关闭太慢,过渡放大区时间 ...

并不是PWM驱动,这是电加热的电路图,EH接单片机I/O口;当温度低于一定值就会启动电加热,加热到指定温度关闭电加热。做实验的时候我们加了负载仪模拟的,到6A就会损坏MOS管
 楼主 | 2018-1-7 20:20 | 显示全部楼层
gnaijnaoul 发表于 2018-1-7 11:11
同意楼上的说法,关断速度过慢导致。推测楼主应该PWM调制了,一次关断损耗就是0.42W,100HZ调制,损耗就是4 ...

并不是PWM驱动,这是电加热的电路图,EH接单片机I/O口;当温度低于一定值就会启动电加热,加热到指定温度关闭电加热。做实验的时候我们加了负载仪模拟的,到6A就会损坏MOS管
| 2018-1-8 08:25 | 显示全部楼层
冰封小肥牛 发表于 2018-1-7 20:10
是的,我疏漏了。加了个负载仪的

那这个MOS管的最大电流为多少
 楼主 | 2018-1-8 08:31 | 显示全部楼层
lihui567 发表于 2018-1-8 08:25
那这个MOS管的最大电流为多少


看规格书应该是110A

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| 2018-1-8 09:00 | 显示全部楼层
冰封小肥牛 发表于 2018-1-7 20:17
按照你这说法,电路只要一个工作就会损坏MOS管,但是我这情况是只要负载仪的电流调整在6A以下就可以正常 ...

您这样是限制了MOS管的输出电流,VGS已对ID控制失效了,所以不会烧管。
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