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关于镜像电流源，小弟不解

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楼主: zjian518
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41楼
zyj9490| | 2017-4-8 16:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
如这种电路，精密的计算没法计算，只能用迭代计算的方式，关糸式是有的。

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42楼
zyj9490| | 2017-4-8 16:37 | 只看该作者
如果二管特性相同，IC--VCE的输出电阻足够大。也就是说输出特性图，线是水平的，那就是说IB,IC完全由VBE控制的，那就是可以说IB1=IB0.

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43楼
zyj9490| | 2017-4-8 16:40 | 只看该作者
包和了，就不能得出IB1=IB0.IC1=IC0.也就是说三极管的基本公式IC=ISC(EXP(VBE/26MV)-1)不成立了。

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44楼
eyuge2| | 2017-4-8 16:53 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2017-4-8 16:08
β下降到多少就算进入饱和，完全看你自己要求β是多少，赞一个！
再换一种表达，算不算饱和，就看你对“饱 ...

我觉得没有什么可赞的。
可能你们理解得比一般人深刻。

但是这个东西有一个常规的认识。你如果觉得非得按照你们的说法才是对的，是不妥当的。

我可以上传MIT的**来支持我的说法。

算了，就不打脸了。各人有各人的认识。

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45楼
eyuge2| | 2017-4-8 18:00 | 只看该作者


图1，图2 哪个是镜像电流源？

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46楼
Lgz2006| | 2017-4-8 18:45 | 只看该作者
都可能构成，1比2更。

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47楼
lyshlrzh8888| | 2017-4-8 19:35 | 只看该作者
首先，一般这种电路都是用硅管，在小电流下UBE都有0.5V左右（不是0.7V，也不是0.6V），而管子的UCE（发射极-集电极电压）在此电压下是不饱和的，处于良好的放大区域内。

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48楼
eyuge2| | 2017-4-9 09:51 | 只看该作者
lyshlrzh8888 发表于 2017-4-8 19:35
首先，一般这种电路都是用硅管，在小电流下UBE都有0.5V左右（不是0.7V，也不是0.6V），而管子的UCE（发射极 ...

前面maychang前辈说得比较含蓄，你说得更加直接。

有**支持你的观点吗？能否上传。

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49楼
eyuge2| | 2017-4-9 09:56 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2017-4-8 18:45
都可能构成，1比2更。

你这样说，那我把图2的电压继续加大到0.5,0.6,0.7，只要β不等于0，图2都可能是镜像电流源了。

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50楼
Lgz2006| | 2017-4-9 11:41 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2017-4-9 09:56
你这样说，那我把图2的电压继续加大到0.5,0.6,0.7，只要β不等于0，图2都可能是镜像电流源了。
...

当特性距离理想或目标电流源超预期或超限度时，就可以不叫它“镜像电流源”了。

死背名词，死记定义，永远你也理解不了。

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51楼
zyj9490| | 2017-4-9 13:01 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2017-4-8 18:00
图1，图2 哪个是镜像电流源？

1图就不要说了，2图，从半导体机理上说，高的电子浓度的基区还是有电子冲到C极，这是扩散电流从而达到平行，而另管是迁移电流加扩散电流。二种管子的特性有可能不一至。构不成电流关糸式。

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52楼
zyj9490| | 2017-4-9 13:08 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2017-4-9 09:56
你这样说，那我把图2的电压继续加大到0.5,0.6,0.7，只要β不等于0，图2都可能是镜像电流源了。
...

说白了，IC电流由扩散电流占主导的，且VBE特性相同的都可以构成境电流源。这是基本机理。晶体管对，及IC工艺光刻都可以轻易做到，用分立元件做有点难。

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53楼
zyj9490| | 2017-4-9 13:13 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2017-4-9 13:16 编辑

晶体管的三区的多子少子的浓度是一个平衡的过程（积分的，累积的过程），直接影响了三极对外的电压。这个理解可参考《实用模拟电路设计》，老美专家教授写的。

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54楼
eyuge2| | 2017-4-9 13:17 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2017-4-9 11:41
当特性距离理想或目标电流源超预期或超限度时，就可以不叫它“镜像电流源”了。

死背名词，死记定义，永 ...

童诗白的《模拟电子技术基础》，VCE=VBE时，晶体管处于临界状态，临界饱和或者临界放大状态。

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55楼
Lgz2006| | 2017-4-9 13:25 | 只看该作者
”死背名词，死记定义”还不够，再补充一个“死啃书本”。

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zyj9490 2017-4-9 13:32 回复TA
要有度量，不能这样平价后辈的吧。 
56楼
zyj9490| | 2017-4-9 13:29 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2017-4-9 13:17
童诗白的《模拟电子技术基础》，VCE=VBE时，晶体管处于临界状态，临界饱和或者临界放大状态。

...

又怎么样呢，多子还是因浓度梯度冲到C极啊。还是看看国外正规的半导体机理的书吧。

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57楼
zyj9490| | 2017-4-9 13:30 | 只看该作者
国内好多是教育家，非工程专家，科学家。

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58楼
captzs| | 2017-4-9 14:19 | 只看该作者
用一般逻辑推理排他法，C点既是三极管电路的输出又是输入,那么，
1)，电路不是截止状态，这个应该没争议，剩下放大和饱和状态。
2)，输出与输入同一点，输出电压Vc =Vb，输出电流Io=Ib，则输出输入幅度相等，没有放大。既然两个都排除，就剩下饱和。

临界饱和.GIF (8.24 KB )

临界饱和.GIF

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59楼
eyuge2| | 2017-4-9 14:55 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2017-4-9 13:13
晶体管的三区的多子少子的浓度是一个平衡的过程（积分的，累积的过程），直接影响了三极对外的电压。这个理 ...

是不是汤普森写的，有机会拜读一下。

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zyj9490 2017-4-9 15:10 回复TA
是的 
60楼
zyj9490| | 2017-4-9 15:15 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2017-4-9 09:56
你这样说，那我把图2的电压继续加大到0.5,0.6,0.7，只要β不等于0，图2都可能是镜像电流源了。
...

书的作者本身是开一个IC设计资询公司，自已是技术科学家，而且还是个工程学院的兼职教授。专门给学生讲电子设计课的。

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