图腾柱驱动NMOS为何不能超过10KHZ
大家好,我现在做一个图腾柱驱动NMOS的电路,板子已经焊接好了,PWM是从8K到50K左右,但是我在调试时出现的问题是PWM频率不能超过10K左右,一旦超过,A,B俩点的波形烦乱无规律,大家帮忙看看什么原因,谢谢! 什么样的波形?可以试试把R3改小一点,比如2k 另外得确定单片机输出的波形是否正常 lfc315 发表于 2017-12-20 13:49
什么样的波形?
可以试试把R3改小一点,比如2k
改了,从2K到10K都换过,没有什么变化,单片机输出波形都是好的,就是A,B两点没波形了,感觉R3上啦速度不够 输出端的负载是什么,可能负载的电容容量太大了,驱动能力还是不够;
试试去掉D8,R9并联1个100p左右的电容,看看波形有什么变化 图腾柱附近有没有大的储能电容 Q5和Q8的位置换下呗; 估计Q7进入饱和区了,三极管退出饱和的速度不够快引起的。
把Q7换成小MOS管试试。 没看到MOS 应该是R3和Q7的问题,Q7可以采用电压控制的MOS管代替试试,R3继续减小最多1K wzy521 发表于 2017-12-21 10:45
改了,从2K到10K都换过,没有什么变化,单片机输出波形都是好的,就是A,B两点没波形了,感觉R3上啦速度不 ...
上拉速度要快不是要更小的阻值吗?几百欧的试了没有 lfc315 发表于 2017-12-21 11:13
输出端的负载是什么,可能负载的电容容量太大了,驱动能力还是不够;
试试去掉D8,R9并联1个100p左右的电容 ...
并联电容驱动速度不是更慢了吗 mmuuss586 发表于 2017-12-21 21:40
Q5和Q8的位置换下呗;
为什么 jimsboy 发表于 2018-3-15 18:27
估计Q7进入饱和区了,三极管退出饱和的速度不够快引起的。
把Q7换成小MOS管试试。 ...
MOS导通更慢吧 Q7的BC之间加一个肖特基二极管,防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器,根本不会饱和,不至于影响整个电路的速度。
如图所示,当C极电压低于0.4V时,肖特基二极管导通,分流走部分b极电流,电流减少,防止三极管进入深饱和状态(Ib>>Ic/β),从而降低从饱和中回复的时间。 QWE4562009 发表于 2019-7-15 15:58
MOS导通更慢吧
三极管你给了高电平之后,它是导通了。但是你给了低电平之后。由于BE之间是二极管,所以这些电荷无法原路返回,必须在里边消耗完了输出才会截止。而MOS是电压型的。G极只是一个电容,不会出现进得去出不来的问题。
R2D2 发表于 2019-7-15 20:54
Q7的BC之间加一个肖特基二极管,防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器,根本不会饱和,不至于影响整个 ...
这个有点意思哈----------------MOS米勒电容放电时不就是希望三极管饱和导通?深度饱和放电速度就越快了呀。这样不就是加快了放电的速度? R2D2 发表于 2019-7-15 20:54
Q7的BC之间加一个肖特基二极管,防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器,根本不会饱和,不至于影响整个 ...
这个有点意思哈----------------MOS米勒电容放电时不就是希望三极管饱和导通?深度饱和放电速度就越快了呀。这样不就是加快了放电的速度? R2D2 发表于 2019-7-15 20:54
Q7的BC之间加一个肖特基二极管,防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器,根本不会饱和,不至于影响整个 ...
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