可控硅触发电路---故障分析

magic1983 · 发表于 2011-6-2 23:20

大家好，我做了一块可控硅触发板，在现场用了近5个月，最近出现烧可控硅现象（功率可控硅和T1235一起击穿导致短路）。
工作环境介绍：
60v交流电来自380v转60v干式变压器，
外部可控硅为100a的单向可控硅反并联，
负载为电阻炉，大概在100a左右；
现场没有加rc吸收电路，
附件为原理图

问：
1、如果T1235击穿，是否会导致Q1,Q2击穿？如果会，是什么情况下。
2、什么原因能导致两者一起击穿？或是哪个先坏？哪个后坏呢？有什么办法避免呢？
3、这个触发线路存在什么安全隐患吗？
4、rc吸收电路的参数该怎么计算呢？

我自己的分析：
1、可能外面有强干扰，首先将D2击穿，D2击穿后，Q1,Q2失控，处于一直导通状态，热量增加，导致温度上升最终热击穿。但是根据现场工程师的说法，Q1,Q2更换后，合闸后有时会马上烧掉新换上去的可控硅，有时候不烧。（合闸的时候弱电触发信号存在）这好像又和我自己的分析矛盾着。还请专家帮忙分析分析。先谢谢了。

难道是T1235有缺陷，不应该这么容易坏啊，再说了，就一个位置的老坏，其他11个通道都没事。

李冬发 · 发表于 2011-6-3 02:12

你的moc3063与T1235的接法本身出错！改了先。

李冬发 · 发表于 2011-6-3 02:14

R2的值也太小了点吧。

magic1983 · 发表于 2011-6-3 11:40

本帖最后由 magic1983 于 2011-6-3 12:06 编辑

R2的值也太小了点吧。
李冬发发表于 2011-6-3 02:14

首先谢谢您的回复

R2是小了不少，我准备换成470的应该就可以了吧？

MOC3063与T1235接法有错吗？能不能给个图，让我搭个电路试试。
按datasheet上的接法好像管不断T1235（试验过，难道是参数不对？）

magic1983 · 发表于 2011-6-3 12:09

将常亮电路中R2值变成360也不行，这个图是moc3063文档图，真郁闷

小华123 · 发表于 2011-6-3 13:35

C1变值！

magic1983 · 发表于 2011-6-3 14:00

C1变值！
小华123 发表于 2011-6-3 13:35

现场没有加C1,若要加RC吸收电路，具体参数怎么计算？

yewuyi · 发表于 2011-6-3 15:05

按标准电路接即可。

gaohq · 发表于 2011-6-3 21:08

可否上你的T1235的资料？

magic1983 · 发表于 2011-6-3 21:12

可否上你的T1235的资料？
gaohq 发表于 2011-6-3 21:08

T1235 就是BAT12

magic1983 · 发表于 2011-6-3 21:14

按标准电路接即可。
yewuyi 发表于 2011-6-3 15:05

这个电路实验过，不行啊。所以很郁闷！

李冬发 · 发表于 2011-6-4 01:52

不行得查自己的原因，不是瞎改电路的。

123jj · 发表于 2011-6-4 04:22

这种菜鸟级的问题，其实也没问题，只是LZ在考二姨家的大虾的智商~~~ :lol

事实上也没啥原因好分析，不是问题的问题，超超级简单：
1.  原理图双向可控硅 A,K极故意画反，这是第一考。
2.  现场没有加rc吸收电路，双向可控硅阴极电阻，引起抗干扰性变差，问为什么偶然会损坏可控硅，这是第二考。
3.  现场单向可控硅触发极没有像双向可控硅触发极一样，加限流电阻，引起偶然超标的干扰尖脉冲击穿可控硅。问为什么就一个位置的老坏，其他11个通道都没事。这是第三考。
4. 有了以上三问，LZ三斧子用完，直接提第四个问题，是单向可控硅先损坏还是双向可控硅先损坏。这是第四考。
5. 最后一个问题，难道是T1235有缺陷，不应该这么容易坏啊，再说了，就一个位置的老坏，其他11个通道都没事。这是第五考，最后一考。
回答了最后一考，一切问题都是浮云，你那个工厂设备放的位置风水不好，其中有一个位置离隐藏的干扰源最近，故老坏，其他11个通道离的远些，都没事。。。。
所以强拆第一个通道，搬个位置，风水好了一切都好~~~

magic1983 · 发表于 2011-6-5 07:27

谢谢大家的解答。小弟愚钝，标准电路没有问题，是在下把

T1235的A 和 K接反了，所以导致一直导通。在此向叶大哥道

歉，也向李工致谢，不过标准电路行不行不是本题的重点。首

先明确的是我的电路图是没有原则问题的（可以用），我的问

题是：
问：
1、如果T1235击穿，是否会导致Q1,Q2击穿？如果会，是什

么情况下。
2、什么原因能导致两者一起击穿？或是哪个先坏？哪个后坏

呢？有什么办法避免呢？
3、这个触发线路存在什么安全隐患吗？
4、rc吸收电路的参数该怎么计算呢？

我应该怎样解决问题呢？那些地方要加强，对这些问题，从

123jj回复中找到了大部分的答案。
综合各位的解答，我分析如下，若有不对，请大侠们指正：
1、若T1235在强干扰脉冲下击穿，会导致Q1Q2损坏。T1235

击穿后，导致Q1,Q2一直导通，功率不可控，电流和功耗加大

，发热导致击穿；T1235损坏不会导致Q1Q2因G极电流过大而

击穿。
2、两者一起击穿可能性也存在，我的看法偏向于T1235损坏

导致Q1Q2损坏，解决办法：
a) 接RC吸收电路，吸收干扰脉冲。
b)加大T1235 G极限流电阻（提高了抗高压脉冲的能力）,并

在G极和阴极加上一个电阻，增加抗干扰能力（误触发）。
c）R3,R4是现场单向可控硅触发的限流电阻，可考虑加大一

点。
3、请教专家
4、正在找相关资料

123jj · 发表于 2011-6-6 06:01

LS思路混乱，俺也已无话可说，自己再想想吧~~~

导致Q1Q2损坏，解决办法：
a) 接RC吸收电路，吸收干扰脉冲。。。。。。。。。。。。。正确
b)加大T1235 G极限流电阻（提高了抗高压脉冲的能力）, 。。。。。。。。。。。。错误
并在G极和阴极加上一个电阻，增加抗干扰能力（误触发）。。。。。。。。。。。。。正确
c）R3,R4是现场单向可控硅触发的限流电阻，可考虑加大一点。。。。。。。。。。。。。错误

wwzff · 发表于 2011-6-6 06:36

https://bbs.21ic.com/viewthread.php?tid=29075&highlight=%E5%8F%AF%E6%8E%A7%E7%A1%85
这里面zhangjinxing说的可控硅坏，是由于两个误导通，由于启动电容放电引起可控硅击穿；增加扼流圈电阻解决什么，有道理吗？请帮忙分析一些谢谢！
针对可控硅击穿的问题较多，大家都想学习，请指点指点！

谁不是也可以解释前期我也有发过这样问题，你提的误导通导致击穿的根本原因？
https://bbs.21ic.com/viewthread.p ... F%E6%8E%A7%E7%A1%85
但是今天看到了12楼 zhangjinxing同志说的有点不明白，如何家扼流线圈串电阻来解决启动电容放电，启动电容放电，两个可控硅误导通是会产生什么？什么原理造成可控硅损坏？

wwzff · 发表于 2011-6-6 06:37

请问123jj：https://bbs.21ic.com/viewthread.php?tid=29075&highlight=%E5%8F%AF%E6%8E%A7%E7%A1%85
这里面zhangjinxing说的可控硅坏，是由于两个误导通，由于启动电容放电引起可控硅击穿；增加扼流圈电阻解决什么，有道理吗？请帮忙分析一些谢谢！
针对可控硅击穿的问题较多，大家都想学习，请指点指点！

谁不是也可以解释前期我也有发过这样问题，你提的误导通导致击穿的根本原因？
https://bbs.21ic.com/viewthread.p ... F%E6%8E%A7%E7%A1%85
但是今天看到了12楼 zhangjinxing同志说的有点不明白，如何家扼流线圈串电阻来解决启动电容放电，启动电容放电，两个可控硅误导通是会产生什么？什么原理造成可控硅损坏？

magic1983 · 发表于 2011-6-6 07:53

本帖最后由 magic1983 于 2011-6-6 07:58 编辑

问：现场单向可控硅触发极没有像双向可控硅触发极一样，加限流电阻，引起偶然超标的干扰尖脉冲击穿可控硅，
为什么偶然超标的干扰脉冲会击穿可控硅，微观过程是怎样的？查了些资料，还没有完全搞明白。
有个资料写的是干扰脉冲导致可控硅部分触发，局部大电流，烧坏可控硅。
您说的加限流电阻是在G极上加，难道是怀疑是G极触发线在从pcb接头到现场可控硅g极之间的导线拾取了干扰信号吗？
对于加大T1235 G极限流电阻（提高了抗高压脉冲的能力）, 在我的电路里电阻取什么值合适，为什么呢？我认为触发电路有两级，我认为第一级提高g极限流电阻会使第二级的触发脉冲电流陡度提高，增强Q1Q2的抗 di/dt 能力。

123jj · 发表于 2011-6-6 09:30

12楼李冬发老师已说的很清楚了，不行得查自己的原因，不是瞎改电路的。

123jj · 发表于 2011-6-6 09:31

怀疑连可控硅工作原理都没搞清，如何改电路？如何分析原因？

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