本帖最后由 GGbb123 于 2023-6-16 10:51 编辑
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// 从EEPROM中读取上一组写入的数据的函数s32 EEPROM_Read(u8* ptr, u16 len);
// 将数据写入EEPROM中的函数
s32 EEPROM_Write(u8* ptr, u16 len);
我是直接用MM32F002的例程，为什么使用这两行代码存储set_wendu这个全局变量存储不了。
试过改EEPROM_Write，EEPROM_Read这两个函数的在代码行中的先后顺序，FLASH的保存地址操作但还是不行。
总的代码量在25KB，MM32F002flash空间为32KB。- #include "hal_conf.h"
- #include <string.h>
- #include "flash.h"
- #define M8(adr) (*((vu8 *) (adr)))
- #define M16(adr) (*((vu16 *) (adr)))
- #define BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS (0x08000000+30*1024+4)
- // 擦除指定FLASH页的函数
- static void FLASH_SIM_EraseEE(u32 pageAddress)
- {
- FLASH_Unlock();
- FLASH_ErasePage(pageAddress);
- FLASH_Lock();
- }
- // 在指定地址处编程缓冲区的函数
- static void FLASH_SIM_ProgramEE(u16* buf, u32 addr, u16 len)
- {
- u16 i;
- FLASH_Unlock();
- for ( i = 0; i < len / 2; i++) {
- FLASH_ProgramHalfWord(addr, *buf);
- addr += 2;
- buf++;
- }
- FLASH_Lock();
- }
- static u8 FLASH_SIM_FindEmpty(u32 ptr, u16 len)
- {
- u16 i, readdata;
- u8 ret = 1;
- for (i = 0; i < (len / 2); i++) {
- readdata = M16(ptr + i * 2);
- if ( readdata != 0xffff) {
- ret = 0;
- break;
- }
- }
- return ret;
- }
- // 确定指定地址上可写入数据的区域的函数
- u32 FLASH_SIM_WriteLocate(u32 pageAddress, u16 len)
- {
- u16 i;
- u32 ptr = pageAddress;
- if( (pageAddress % 2 ) != 0) {
- while(1);
- }
- if((0x800 % len) != 0)
- while(1);
- for (i = 0; i < (0x0800 / len); i++) {
- ptr = (pageAddress + i * len);
- if (FLASH_SIM_FindEmpty(ptr, len) == 1) {
- break;
- }
- }
- if(i == (0x0800 / len))
- ptr = 0;
- return ptr;
- }
- // 在指定地址处写入缓冲区的函数
- static void FLASH_SIM_WriteEE(u16* buf, u32 pageAddress, u16 len)
- {
- u32 ptr = FLASH_SIM_WriteLocate(pageAddress, len);
- if (ptr == 0) {
- FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x000);
- FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x400);
- FLASH_SIM_ProgramEE(buf, pageAddress, len);
- }
- else {
- if (ptr == (pageAddress + 0x0400 - len)) {
- FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x400);
- FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);
- }
- else if (ptr == (pageAddress + 0x0800 - len)) {
- FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x000);
- FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);
- }
- else {
- FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);
- }
- }
- }
- // 初始化EEPROM的函数
- void FLASH_SIM_EEPROM_Init(void)
- {
- FLASH_SIM_EraseEE((u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) + 0x0000);
- FLASH_SIM_EraseEE((u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) + 0x0400);
- }
- // 从EEPROM中读取上一组写入的数据的函数
- s32 EEPROM_Read(u8* ptr, u16 len)
- {
- u32 pAddr;
- pAddr = FLASH_SIM_WriteLocate((u32)BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS, len);
- if (pAddr == 0) {
- return -1;
- }
- else if (pAddr == BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) {
- pAddr = (BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS + 0x0800 - len);
- }
- else {
- pAddr -= len;
- }
- memcpy(ptr, (s8*)pAddr, len);
- return len;
- }
- // 将数据写入EEPROM中的函数
- s32 EEPROM_Write(u8* ptr, u16 len)
- {
- FLASH_SIM_WriteEE((u16*)ptr, (u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS), len);
- return len;
- }
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