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芯控源 AGM40P35AP 是一款 40V 35A P 沟道 MOS 管，为低压大电流场景下的负载开关、电源管理等应用定制。规格相关情况如下： 芯控源 AGM40P35AP 技术参数：・耐压 (V)：-40・连续漏极电流 (A)：-35（Tc=25℃）、-18（Tc=100℃）・PMOS 导通电阻 (mΩ)：15.8（典型值，@VGS=-10V, ID=-8A）、17.5（最大值，@VGS=-10V, ID=-8A）；28.5（典型值，@VGS=-4.5V, ID=-5A）、30.5（最大值，@VGS=-4.5V, ID=-5A）・功率耗散 (W)：45（Tc=25℃）、15（Tc=100℃）・开关频率 (kHz)：≥40（适配同步整流场景）・热阻 (Rth (j-c), K/W)：3.2（典型值）・封装：PDFN3.3×3.3（3.3×3.3mm 封装）・电路结构：P 沟道单管集成 其特征：采用升级款高密度单元 Trench-MOS 工艺；-55℃~+150℃ 宽温工作范围；100% EAS 保证（雪崩能量 160mJ）、100% VDSS 测试；低栅极电荷设计（Qg=-38nC @-15V），有效降低开关损耗；符合绿色器件环保标准。优势：相较于同封装竞品，导通损耗降低超 20%；PDFN3.3×3.3 封装相比传统 PowerPAK 封装，PCB 面积占用缩减 35%；支持高频同步整流（≥40kHz），适配低压电源模块、快充辅助电路；通过严苛可靠性测试（温度循环、HTGB 测试），MTBF（平均无故障时间）达 1.2×10⁶ 小时。可应用在负载开关与电池保护电路、低压电源模块（MiVGA 相关辅助模块）、SMPS 低压同步整流电路、消费电子 PCL 应用、小型 BLDC 电机驱动（如微型风扇、小型水泵驱动）等低压大电流场景！
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