[KungFu8位 MCU] 我看芯旺介绍MCU的内嵌可擦写100万次EE?

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 楼主| Estelle1999 发表于 2024-11-26 22:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
我看芯旺介绍MCU的内嵌可擦写100万次EE?这个EE指的是eeprom吗?
钟爱柳州 发表于 2024-11-27 09:09 | 显示全部楼层
EE即DATA EEPROM,可经受100万次写操作,具体操作参见芯片数据手册
StarStory 发表于 2025-2-13 15:00 | 显示全部楼层
是的,芯旺微电子(ChipON)的 MCU 中提到的 内嵌可擦写 100 万次 EE,通常指的是 EEPROM功能。
Annie556 发表于 2025-2-13 19:10 | 显示全部楼层
需要注意的是,KF32A151 等 MCU 可能并没有独立的 EEPROM 存储器,而是通过 Flash 模拟 EEPROM 的方式实现的
EuphoriaV 发表于 2025-2-13 22:50 | 显示全部楼层
EEPROM:支持字节级别的擦写操作。擦写寿命通常为 100 万次。适合存储频繁更新的小数据(如配置参数、校准数据等)
Augenstern星星 发表于 2025-2-14 08:26 | 显示全部楼层
将 Flash 划分为多个小块(Block),每个块可以独立擦写。
flechazo 发表于 2025-2-14 13:12 | 显示全部楼层
通过算法将数据分散存储到不同的块中,避免频繁擦写同一区域,从而延长 Flash 的使用寿命。
MahalKita 发表于 2025-2-14 17:15 | 显示全部楼层
一般芯旺这种都会通过软件实现字节级别的读写操作,模拟 EEPROM 的功能。
B1lanche 发表于 2025-2-14 21:52 | 显示全部楼层
根据芯旺微电子的介绍,其 MCU 的 EE 功能具有以下特点:擦写寿命:100 万次。存储容量:根据具体型号不同,EE 的容量可能为几 KB 到几十 KB。低功耗:EE 操作时功耗较低,适合电池供电的应用场景。高可靠性:内置校验机制,确保数据的完整性和可靠性。
Carmen7 发表于 2025-2-15 09:23 | 显示全部楼层
虽然 EE 的擦写寿命为 100 万次,但仍需避免频繁写入同一地址
Amonologue独白 发表于 2025-2-15 14:08 | 显示全部楼层
建议在写入数据时加入校验机制(如 CRC 校验),以确保数据的完整性。
Whosheart 发表于 2025-2-15 20:49 | 显示全部楼层
在低功耗应用中,尽量减少 EE 操作的频率以降低功耗。
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