【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列十八——SDRAM实验

发表于 2025-4-12 20:10

在SDRAM_VDD和VSS引脚附近放置去耦电容

发表于 2025-4-12 21:06

为 SDRAM_CLK 和 SDRAM_CKE 添加 22Ω~100Ω电阻，抑制高频噪声。

发表于 2025-4-12 21:46

SDRAM 操作需要严格的时序匹配，需仔细考虑时钟信号的生成和传输

发表于 2025-4-12 22:11

SDRAM支持高速数据传输，具有较快的读写速度，满足高性能应用需求。

发表于 2025-4-12 22:58

在使用SDRAM之前，需要进行初始化配置，包括设置EXMC的相关寄存器以匹配SDRAM的时序参数和工作模式。

发表于 2025-4-13 11:39

优化PCB布局，确保信号线的布线合理，使用适当的阻抗匹配和信号完整性设计。

发表于 2025-4-13 13:09

使用 4层PCB，确保地址/数据线参考地平面。

发表于 2025-4-13 13:40

SDRAM提供比内部RAM更大的存储容量，适用于图像处理、视频播放等数据密集型应用。

发表于 2025-4-13 14:35

捕获FSMC的地址、数据和控制信号，验证时序是否符合SDRAM要求。

发表于 2025-4-13 14:56

布线要尽量短，以减少信号延迟和干扰。

发表于 2025-4-13 15:19

当代码位于SDRAM中时，处理器缓存（如果有的话）可能无法高效地缓存SDRAM中的数据，这会增加缓存未命中的几率，导致性能下降。

发表于 2025-4-13 16:16

SDRAM控制器支持中断和DMA操作，可以提高数据传输效率，减轻CPU负担。

发表于 2025-4-13 17:03

GD32F4 系列通常使用 0xC0000000 作为 SDRAM 的基地址，需正确配置 EXMC（外部存储器控制器）寄存器，确保地址映射正确。

发表于 2025-4-13 20:08

编写初始化代码，对 SDRAM 进行预充电、刷新等操作。初始化参数通常存储在 SDRAM 的模式寄存器中，需在上电或复位时进行配置。

发表于 2025-4-14 08:17

SDRAM的读写速度比内部Flash要慢，因此从SDRAM中加载执行代码比直接从Flash中读取要慢。

发表于 2025-4-17 09:24

随着技术的发展，单片机在各个领域都有广泛应用，需求量很大。

发表于 2025-7-11 16:44

正需要这方面的资料，谢谢

发表于 2025-7-27 10:41

这资料内容丰富，特别适合刚开始学习的小白。

发表于 2025-8-4 20:54

很好的资料