请教下通过光耦的波形为什么失真了呢？

光耦转换电路原理图如图所示：
其中，EMSW1脚接MCU给出PWM波；然后通过示波器测试U17的PIN2脚和PIN3脚的波形，分别如下面所示：
PIN2脚的波形：

PIN3脚的波形：
请问大神们，什么原因导致经过光耦后波形失真了呢？谢谢了呀。

该光耦3脚和4脚之间是个光电三极管，此三极管导通快而关断慢。另外，MOS管门极是个相当大的电容(包括米勒电容)，此电容充电靠光耦内三极管导通，放电却只能靠R130，而R130又用到那么大。

maychang 发表于 2019-7-5 19:19
该光耦3脚和4脚之间是个光电三极管，此三极管导通快而关断慢。另外，MOS管门极是个相当大的电容(包括米勒电 ...

您的意思是改变R130电阻的值可以改善波形对吧？

lunsen 发表于 2019-7-6 14:17
您的意思是改变R130电阻的值可以改善波形对吧？

减小R130数值，可以改善波形，但作用不大。
三极管饱和导通时等效电阻很小，在数欧姆到数十欧姆量级。所以R130即使减小到数百欧姆，仍然比光耦内三极管饱和导通电阻要大得多，至少大一个数量级。
可以加一支二极管和一支三极管来使MOS管电容放电。且待我把图画出来再贴出到本帖。

lunsen 发表于 2019-7-6 14:17
您的意思是改变R130电阻的值可以改善波形对吧？

此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

mos功率管的栅极电容往往被人忽略，这样关断特性会很差，mos管上的功耗会大很多的

搬板凳学习

maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

张哥，这是哪份资料看到的，可以推荐一下吗，谢谢。

MOS  输入电容，影响开关速度

换个类似光耦就行。

是否愿意用两个光耦，当然成本高些

maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

好的，学习了，谢谢了呀。

xch 发表于 2019-7-8 08:52
换个类似光耦就行。

要是换TLP293可以吗？

lunsen 发表于 2019-7-8 17:26
要是换TLP293可以吗？

不行。只有推挽输出的可以用。

maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

高手就是高手，不服高人有罪。

充电常数与放电常数不相符，放电常数太大，加一级驱动PP即可，或下拉电阻降低成1K，可改良下降速率。低成本方案，或是用数字光耦。

maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

请问下，PNP三极管的E级和MOS管的G级间不需要串个小电阻吗？

fswyt 发表于 2019-7-10 09:21
请问下，PNP三极管的E级和MOS管的G级间不需要串个小电阻吗？

MOS管门极输入处串联小电阻，目的有二：
一、预防寄生参数引起振荡。
二、限制门极电流上升下降速度，减少干扰。
其中第二项是主要的。
如果前级到MOS管门极联接线很短，门极电流突变对外界影响不大，可以不使用这个电阻。

xch 发表于 2019-7-8 18:25
不行。只有推挽输出的可以用。

好的，那这种4PIN封装的推挽输出的楼主可以推荐几款吗？谢谢了。

lunsen 发表于 2019-7-10 10:11
好的，那这种4PIN封装的推挽输出的楼主可以推荐几款吗？谢谢了。

对不起，就没有4Pin封装的推挽线路，你自己算算，脚不够了。